Browsing Physics by Subject "Recozimento"
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Caracterização da implantação de Ne em Si (100)
(2007) [Thesis]Esta tese apresenta um estudo sistemático sobre a formação e evolução do sistema de bolhas, cavidades e defeitos gerados pela implantação de Ne em Si monocristalino. A implantação de gases inertes em Si tem sido explorada ... -
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons
(2003) [Dissertation]A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ... -
Dinâmica de paredes de domínios magnéticos : um estudo através da impedanciometria
(2001) [Thesis]Neste trabalho é apresentado um estudo sobre a dinâmica de paredes de domínios através de medidas de impedanciometria. É proposto um método que permite a obtenção dos seguintes parâmetros das amostras estudadas: mobilidade ... -
Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX
(2007) [Dissertation]Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado ... -
Estudo dos efeitos das condições de processamento sobre propriedades de filmes de PVDF-TRFE
(2019) [Dissertation]Poli(fluoreto de vinilideno - trifluoroetileno) (PVDF-TrFE) é um copolímero semicristalino que apresenta propriedades piro, piezo e ferroelétricas. Pode ser depositado por spin coating e utilizado em diversas aplicações, ... -
Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados
(2003) [Thesis]Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas ... -
Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em Si
(2004) [Thesis]Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas ... -
Nucleação e crescimento de grãos em filmes de Al nanoestruturados
(2008) [Dissertation]A eletromigração é um dos principais problemas que limitam a vida útil dos dispositivos microeletrônicos. Normalmente o que se utiliza na indústria são interconexões feitas de filmes finos de Al e/ou Cu com estrutura ... -
Transições de fase em compostos de estrutura aberta sob altas pressões
(2000) [Thesis]Resumo não disponível.