• Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX 

      Oliveira, Roana Melina de (2007) [Dissertação]
      Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado ...
    • Junções rasas em Si e SIMOX 

      Dalponte, Mateus (2004) [Dissertação]
      Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia ...
    • Pré-amorfização de silício por implantação iônica de estanho para formação de junções rasas tipo-p 

      Scherer, Elza Miranda (2007) [Dissertação]
      Nesta dissertação estudamos a possibilidade de uso de implantação iônica de estanho para pré-amorfização do silício cristalino e sua aplicabilidade na tecnologia de fabricação de junções rasas. Foi estudada a amorfização ...