Projeto e simulação de um amplificador diferencial CMOS através do método gm/ID

Abstract

Este trabalho apresenta o projeto e a simulação de um amplificador diferencial em tecnologia CMOS 500 nm. A topologia escolhida é composta por um par diferencial NMOS, uma carga ativa PMOS e um espelho de corrente NMOS. O circuito foi idealizado para operar com tensão de alimentação de até 1,5 V. Assim, foi necessário dimensionar os transistores para que operem na região de inversão fraca. Adotou-se o modelo EKV e o método gm=ID.

This paper presents the design and simulation of a differential amplifier in 500 nm CMOS technology. The topology chosen is composed of an NMOS differential pair, an active load PMOS and an NMOS current mirror. The circuit is designed to operate with supply voltage of 1.5 V. Thus, it was necessary to size the transistors to operate in weak inversion region.