Navegação Microeletrônica por Assunto "MOSFET"
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Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization
(2017) [Tese]Low-frequency noise (LFN) is a performance limiter for analog, digital and RF circuits, introducing phase noise in oscillators and reducing the stability of SRAM cells, for example. Metal-oxide-semiconductor field-effect ... -
Automação do projeto de módulos CMOS analógicos usando associações trapezoidais de transistores
(2007) [Tese]A metodologia de projeto semi-customizado usando associações trapezoidais de transistores (TATs) é especialmente viável para o projeto de circuitos integrados mistos analógico- digitais. Vários trabalhos foram desenvolvidos ... -
Double-gate nanotransistors in silicon-on-insulator : simulation of sub-20 nm FinFETs
(2012) [Tese]Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como “SOI-FinFET”. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre ... -
Efeito do eletrodo de platina e da passivação com enxofre na formação de filmes dielétricos sobre germânio
(2014) [Dissertação]As estruturas metal-óxido-semicondutor (MOS) são o coração dos transistores de efeito de campo. O estudo e caracterização físico-química desses dispositivos foram a chave para o avanço da tecnologia do Si na indústria ... -
Impacto da variabilidade PVT em somadores construídos com XORs
(2020) [Dissertação]A operação de soma é a mais usada em Unidades Lógicas e Aritméticas (ULA). A ULA é a unidade mais importante no processamento de dados. Em sistemas digitais, é desejado um somador completo com baixo consumo de energia e ... -
Modeling and simulation of self-heating effects in p-type MOS transistors
(2018) [Tese]The complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) scaling process of the recent decades, coupled with new device structures and materials, has aggravated thermal problems and turned them into major reliability issues for ... -
A physics-based statistical random telegraph noise model
(2016) [Tese]Low Frequency Noise (LFN) and Random Telegraph Noise (RTN) are performance limiters in many analog and digital circuits. For small area devices, the noise power spectral density can easily vary by many orders of magnitude, ... -
State-of-the-art 3-D Monte Carlo Device Simulation : from n-MOSFETs to n-FinFETs
(2021) [Tese]A novel 3-D TCAD Monte Carlo n-type semiconductor device simulator is presented in this work. The first step to achieve such comprehensive simulator was to develop a n-type bulk-Si simulator to be used as the basis for the ... -
Temperature compensated subthreshold CMOS voltage references for ultra low power applications
(2017) [Dissertação]This work proposes novel temperature-compensated subthreshold voltage references for ultra-low power and ultra-low voltage applications. The core of the proposed circuits is the self-cascode MOSFET (SCM) since it can operate ...