Relaxação de "buffer layers" de SiGe em Si(100) através de implantação iônica de hélio
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Date
2001Event
Salão de iniciação Científica (13. : 2001 out. 22-26 : UFRGS, Porto Alegre, RS).
Knowledge area
Engineering
In
Salão de Iniciação Científica (13. : 2001 : Porto Alegre). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 2001.
Session
Engenharia – Metalurgia e de Materiais I
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