Relaxação de "buffer layers" de SiGe em Si(100) através de implantação iônica de hélio

dc.contributor.author	Reboh, Shay	pt_BR
dc.contributor.author	Fichtner, Paulo Fernando Papaleo	pt_BR
dc.date.accessioned	2013-08-10T01:48:59Z	pt_BR
dc.date.issued	2001	pt_BR
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10183/76875	pt_BR
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	por	pt_BR
dc.relation.ispartof	Salão de Iniciação Científica (13. : 2001 : Porto Alegre). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 2001.	pt_BR
dc.rights	Open Access	en
dc.subject	Física	pt_BR
dc.title	Relaxação de "buffer layers" de SiGe em Si(100) através de implantação iônica de hélio	pt_BR
dc.type	Resumo publicado em evento	pt_BR
dc.contributor.event	Salão de iniciação Científica (13. : 2001 out. 22-26 : UFRGS, Porto Alegre, RS).	pt_BR
dc.identifier.nrb	000316116	pt_BR
dc.subject.session	Engenharia – Metalurgia e de Materiais I	pt_BR
dc.subject.cnpq	Engenharias	pt_BR
dc.description.number	064	pt_BR
dc.type.origin	Nacional	pt_BR

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