Navegação Engenharia Elétrica por Assunto "Transistores"
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Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm
(2013) [Dissertação]Este trabalho apresenta um estudo sobre a degradação de parâmetros elétricos de transistores CMOS tecnologia 0,35 μm, fabricados com o processo AMS C35B4, devido aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total ... -
Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante
(2013) [Dissertação]Nesta dissertação é apresentado o estudo dos transistores de porta flutuante (Floating Gate Transistor - FG Transistor), sua modelagem, e a análise do efeito da dose de ionização total (Total Ionizing Dose- TID) sobre os ... -
Quantum-corrected Monte Carlo device simulator for n-type tri-gate transistors
(2023) [Tese]The dimensions of planar transistors were reduced until detrimental effects caused by the miniaturization of the transistor became significant. To address this issue, the microelectronics industry has changed the structure ... -
Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM)
(2010) [Dissertação]Nesta dissertação é apresentado o estudo da célula SRAM estática de 6 transistores, com tecnologia CMOS, sendo utilizada em ambiente exposto à radiação. Foi verificado, através de simulação com o Hspice (HSPICE, 2009; KIME, ... -
Three different techniques to cope with radiation effects and component variability in future technologies
(2007) [Tese]Existe um consenso de que os transistores CMOS irão em breve ultrapassar a barreira nanométrica, permitindo a inclusão de um enorme número desses componentes em uma simples pastilha de silício, mais ainda do que a grande ...