Navegação Engenharia Elétrica por Autor "Wirth, Gilson Inacio"
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Análise de jitter causado pelo Random Telegraph Noise em um oscilador em anel
Barbosa, Rodolfo Grosbelli (2024) [Dissertação]Random Telegraph Noise (RTN) é uma relevante fonte de variabilidade em circuitos integrados e um problema crescente devido ao scaling dos dispositivos. Jitter é uma de suas consequências; além disso, é um importante parâmetro ... -
Análise dos efeitos de dose total ionizante em circuitos analógicos CMOS
Rossetto, Alan Carlos Junior (2014) [Dissertação]Este trabalho apresenta um estudo sobre o comportamento de circuitos analógicos CMOS quando sujeitos aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total são resultado da interação entre a radiação ionizante e as ... -
Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm
Both, Thiago Hanna (2013) [Dissertação]Este trabalho apresenta um estudo sobre a degradação de parâmetros elétricos de transistores CMOS tecnologia 0,35 μm, fabricados com o processo AMS C35B4, devido aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total ... -
Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante
Grisales, Catalina Aguirre (2013) [Dissertação]Nesta dissertação é apresentado o estudo dos transistores de porta flutuante (Floating Gate Transistor - FG Transistor), sua modelagem, e a análise do efeito da dose de ionização total (Total Ionizing Dose- TID) sobre os ... -
Caracterização elétrica temporal de transistores de filmes finos de nanopartículas de óxido de zinco
Becker, Thales Exenberger (2018) [Dissertação]Neste trabalho, são discutidas as características de transistores de filmes finos (TFTs) nos quais nanopartículas de óxido de zinco (ZnO) são empregadas como material ativo na camada semicondutora. O crescimento contínuo ... -
Electrical characterization and modeling of random telegraph noise in MIM-like resistive switching devices
Becker, Thales Exenberger (2022) [Tese]Metal-insulator-metal (MIM-like) resistive switching (RS) devices have been increasingly studied for several modern and traditional applications, such as information storage, stochastic computing, and bio-inspired computing. ... -
Estudo e implementação de um microcontrolador tolerante à radiação
Leite, Franco Ripoll (2009) [Dissertação]Neste trabalho foi elaborado um microcontrolador 8051 tolerante à radiação, usando para isso técnicas de recomputação de instruções. A base para este trabalho foi a descrição VHDL desse microcontrolador, sendo proposto o ... -
Estudo e simulação de ruído em circuitos e dispositivos MOS
Della Giustina, Rafael Varela (2012) [Dissertação]A redução das dimensões dos dispositivos semicondutores para escalas submicrométricas impõe diversos desafios no projeto de circuitos integrados. O impacto das variações intrínsecas afetando parâmetros elétricos cresce em ... -
Implementação e comparação de algoritmos para extração de parâmetros de RTN
Silveira, Cláudia Theis da (2021) [Dissertação]Atualmente o estudo de ruído gerado internamente pelos dispositivos, como o Random Telegraph Noise (RTN), é de grande relevância, visto que este estudo pode fornecer informações importantes sobre as propriedades físicas e ... -
Metodologia de análise da variabilidade em FPGA
Amaral, Raul Vieira (2010) [Dissertação]Este trabalho visa propor uma metodologia de análise da variabilidade do tempo de atraso de propagação no FPGA. Para alcançar esse objetivo são utilizados três circuitos diferentes: o circuito 1 mede a diferença de atrasos ... -
Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS
Furtado, Gabriela Firpo (2017) [Dissertação]Aborda-se, nesse trabalho, o fenômeno de envelhecimento de transistores MOS por bias temperature instability (BTI), relevante fator de degradação da confiabilidade e de redução do tempo de vida de circuitos integrados CMOS. ... -
Projeto de um amplificador operacional cmos de dois estágios e simulação elétrica do efeito de dose total
Santos, Ulisses Lyra dos (2010) [Dissertação]Este trabalho tem o objetivo de, inicialmente, fazer uma análise das fontes de radiação relevantes para aplicações de circuitos integrados em ambientes aeroespaciais. Em seguida se discute o efeito da radiação ionizante ... -
Quantum-corrected Monte Carlo device simulator for n-type tri-gate transistors
Soares, Caroline dos Santos (2023) [Tese]The dimensions of planar transistors were reduced until detrimental effects caused by the miniaturization of the transistor became significant. To address this issue, the microelectronics industry has changed the structure ... -
Sensor de corrente transiente para detecção do SET com célula de memória dinâmica
Simionovski, Alexandre (2012) [Dissertação]Esta dissertação trata do projeto e avaliação de um novo circuito sensor de corrente com célula de memória dinâmica para a detecção de correntes transientes em circuitos integrados CMOS, provocadas pela incidência de ... -
Sensor de corrente transiente para um sistema de proteção de circuitos integrados contra erros induzidos por radiação ionizante
Simionovski, Alexandre (2018) [Tese]Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um sensor de corrente transiente destinado a detectar a ocorrência de um evento transiente causado pela incidência de radiação ionizante em um circuito integrado. Iniciando com ... -
Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM)
Paniz, Vitor (2010) [Dissertação]Nesta dissertação é apresentado o estudo da célula SRAM estática de 6 transistores, com tecnologia CMOS, sendo utilizada em ambiente exposto à radiação. Foi verificado, através de simulação com o Hspice (HSPICE, 2009; KIME, ... -
Trapsimulator : um simulador didático de ruído RTN
Melos, Ricardo Carvalho de (2018) [Dissertação]TrapSimulator é uma ferramenta didática de simulação de corrente elétrica sob efeito do ruído Random Telegraph Noise, presente nos dispositivos eletrônicos semicondutores, mais precisamente em transistores de efeito de ...