Determinação da posição reticular de F em Si
dc.contributor.advisor | Santos, Jose Henrique Rodrigues dos | pt_BR |
dc.contributor.author | Bernardi, Fabiano | pt_BR |
dc.date.accessioned | 2007-06-06T18:49:31Z | pt_BR |
dc.date.issued | 2006 | pt_BR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10183/5727 | pt_BR |
dc.description.abstract | Neste trabalho, estudamos a posição de átomos de F na estrutura cristalina do Si. As amostras foram pré-amorfizadas utilizando um feixe de Si de 200 keV e, após, implantadas com F. Então recristalizamos a camada amorfa através do processo de Epitaxia de Fase Sólida (EFS). Empregamos as técnicas de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford, na condição de canalização iônica, e de Análise por Reação Nuclear (NRA), através da reação ressonante ( ) O p F 16 19 , αγ , à 5 , 340 keV, para determinar a posição dos átomos de F e, depois, reproduzimos os resultados experimentais através do programa de simulação computacional chamado Simulação Adaptada de Canalização de Íons Rápidos em Sólidos (CASSIS - Channeling Adapted Simulation of Swift Ions in Solids). Os resultados obtidos apontam para duas possíveis combinações lineares distintas de sítios. Uma delas concorda com a proposta teórica de Hirose et al. (Materials Science & Engineering B – 91-92, 148, 2002), para uma condição experimental similar. Nessa configuração, os átomos de F estão na forma de complexos entre átomos de flúor e vacâncias (F-V). A outra combinação ainda não foi proposta na literatura e também pode ser pensada como um tipo de complexo F-V. | pt_BR |
dc.format.mimetype | application/pdf | pt_BR |
dc.language.iso | por | pt_BR |
dc.rights | Open Access | en |
dc.subject | Física da matéria condensada | pt_BR |
dc.subject | Difusão | pt_BR |
dc.subject | Amorfizacao | pt_BR |
dc.subject | Espectroscopia de retroespalhamento Rutheford - RBS | pt_BR |
dc.subject | Impurezas | pt_BR |
dc.subject | Flúor | pt_BR |
dc.subject | Silício | pt_BR |
dc.subject | Implantação de íons | pt_BR |
dc.title | Determinação da posição reticular de F em Si | pt_BR |
dc.type | Dissertação | pt_BR |
dc.contributor.advisor-co | Behar, Moni | pt_BR |
dc.identifier.nrb | 000518814 | pt_BR |
dc.degree.grantor | Universidade Federal do Rio Grande do Sul | pt_BR |
dc.degree.department | Instituto de Física | pt_BR |
dc.degree.program | Programa de Pós-Graduação em Física | pt_BR |
dc.degree.local | Porto Alegre, BR-RS | pt_BR |
dc.degree.date | 2006 | pt_BR |
dc.degree.level | mestrado | pt_BR |
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