Influência do politipo na interface SiO2/SiC e na cinética de oxidação de filmes de SiO2 sobre substratos de 4H- e 6H-SiC

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Data
2011
Autor
Orientador
Tipo
URI
http://hdl.handle.net/10183/47540
Evento
Salão de Iniciação Científica (23. : 2011 out. 3-7 : UFRGS, Porto Alegre, RS).
Assunto
Tipo de apresentação
Apresentação oral
Grande Área
Ciências exatas e da terra
Sessão
Química de materiais ii
Temática
Química de materiais
Coleções
 
   

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