Navegação Física por Assunto "TEM"
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Síntese de SiC através de implantação iônica de carbono em SiO2/Si : influência da espessura da capa de SiO2 e de padrões de áreas finas produzidos por litografia
(2019) [Tese]Semicondutores de gap grande são capazes de operar em situações extremas, como em alta potência, alta frequência e em ambientes hostis e, portanto, são de grande interesse tecnológico. Carbeto de Silício (SiC) apresenta ... -
Síntese por feixe de íons de GaN-layer sobre GaAs
(2018) [Tese]O Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de gap direto, motivo de numerosas pesquisas científicas, principalmente devido a sua importância na fabricação de dispositivos de alta potência e optoeletrônicas. Ligas de GaN ...
