Browsing Physics by Subject "Semicondutores"
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Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
(2009) [Thesis]O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta ... -
Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição
(2004) [Dissertation]O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O ... -
Dispositivo para análise e caracterização de materiais semicondutores utilizados como sensores de gás
(2021) [Dissertation]O trabalho apresentado nessa dissertação consiste fundamentalmente no estudo (projeto), desenvolvimento e teste de um dispositivo eletrônico destinado à obtenção de parâmetros elétricos e térmicos, como resistividade ... -
Estudo de camadas superficiais de SiC e GaAsN sintetizadas por implantação iônica em Si e GaAs
(2013) [Thesis]Semicondutores de gap de banda grande possuem um vasto campo de aplicação na construção de dispositivos que necessitam operar em alta potência, em alta frequência e em ambientes hostis. Nesse trabalho apresentamos um estudo ... -
Estudo experimental da interação quadrupolar elétrica no InSb em altas pressões
(1980) [Dissertation]Neste trabalho estudou-se a transição de fase (semi-condutor-metal) induzida por alta pressão no InSb, através de medidas do gradiente de campo elétrico (GCE), presente no sítio do In, utilizando a técnica de correlação ... -
Estudo experimental de filmes ultrafinos de oxinitretos de silício por substituição isotópica e perfilometria com resolução subnanométrica
(1999) [Thesis]Traçagem isotópica foi usada para investigar o transporte atômico durante o crescimento térmico de filmes de oxinitreto de silício em lâminas de silício previamente implantadas com íons de nitrogênio a energias muito baixas, ... -
Isolação elétrica por implantação iônica em GaAs e AlGaAs
(2008) [Thesis]O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas ... -
Nitreto de silício depositado por sputtering reativo para aplicação em memória não-volátil
(2013) [Dissertation]No presente trabalho, foram desenvolvidos diferentes regimes de deposição de filmes de nitreto de silício, empregando a técnica de sputtering reativo, para a aplicação em memória não-volátil de aprisionamento de carga ... -
Passivação da superfície do Germânio visando ao uso da nanoeletrônica
(2009) [Dissertation]Investigamos a passivação superficial do Germânio visando ao uso em Nanoeletrônica, que requer: (i) preparação de uma superfície plana e isenta de contaminantes e (ii) crescimento ou deposição de um dielétrico termodinamicamente ... -
Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias
(2008) [Thesis]A redistribuição e ativação elétrica dos dopantes tipo n (As e Sb) e tipo p (Ga e In) em Si com excesso de vacâncias foram analisadas. As vacâncias foram geradas por implantação iônica de altas doses de oxigênio ou nitrogênio ... -
Síntese de SiC através de implantação iônica de carbono em SiO2/Si : influência da espessura da capa de SiO2 e de padrões de áreas finas produzidos por litografia
(2019) [Thesis]Semicondutores de gap grande são capazes de operar em situações extremas, como em alta potência, alta frequência e em ambientes hostis e, portanto, são de grande interesse tecnológico. Carbeto de Silício (SiC) apresenta ... -
Síntese de SiC por implantação iônica de carbono em SIMOX(111) e Si(111)
(2009) [Dissertation]SiC é um semicondutor promissor para dispositivos eletrônicos de alta-potência, alta-freqüência e alta temperatura e a síntese de uma camada epitaxial de SiC por implantação, na superfície do Si, pode ser uma via de ...