Navegação Física por Assunto "Nitrogênio"
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Caracterização elétrica de estruturas metal/dielétrico high-k/Si
(2005) [Dissertação]Foram estudadas as propriedades elétricas de estruturas MOS envolvendo materiais com Zr e Hf: Al/HfO2/Si, Al/HfAlO/Si, Al/ZrO2/Si e Al/ZrAlO/Si depositadas por JVD (Jet Vapor Deposition) submetidas a diferentes doses de ... -
Composição superficial e propriedades mecânicas e tribológicas de aços carbono implantados com nitrogênio
(1984) [Tese]Investigam-se no presente trabalho as relações entre a composição superficial e as propriedades mecânicas e tribolõgicas de aços carbono implantados com nitrogenio. Os resultados dos testes de propriedades mecanicas e ... -
Estabilidade de filmes de GeOxNy crescidos termicamente sobre Ge
(2015) [Dissertação]A instabilidade térmica do óxido de germânio (GeO2) é um obstáculo à utilização de germânio (Ge) como material semicondutor em dispositivos MOSFET. Essa instabilidade é induzida por vacâncias de oxigênio originadas de uma ... -
Estabilização de nanoestruturas dielétricas de alta permissividade por incorporação de nitrogênio
(2007) [Tese]Atualmente os candidatos mais prováveis para aplicação como dielétrico de porta nas próximas gerações de dispositivos MOSFET são os filmes de silicato e aluminato metálicos com nitrogênio em sua composição. Neste trabalho ... -
Estudo da difusão de intersticiais em matrizes de α-Ti
(2008) [Dissertação]O objetivo desta dissertação consiste no estudo da difusão dos intersticiais, 15N e 18O, em uma matriz de α-Ti. A motivação se origina do fato de haver na literatura resultados contraditórios sobre o comportamento difusivo ... -
Estudo experimental de filmes ultrafinos de oxinitretos de silício por substituição isotópica e perfilometria com resolução subnanométrica
(1999) [Tese]Traçagem isotópica foi usada para investigar o transporte atômico durante o crescimento térmico de filmes de oxinitreto de silício em lâminas de silício previamente implantadas com íons de nitrogênio a energias muito baixas, ... -
Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si
(2004) [Dissertação]Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são ...