Navegação Física por Assunto "Implantação de íons"
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Alcances de ions energéticos (10 a 390 keV) implantados em silício amorfo
(1987) [Tese]Neste trabalho apresentamos medidas de perfil de distribuição de ions para uma série de elementos (29‘Zi;:.03) implantados a diversas energias entre 10 a 390 keV em Silicio amorfo. Estas medidas são comparadas com os novos ... -
Composição superficial e propriedades mecânicas e tribológicas de aços carbono implantados com nitrogênio
(1984) [Tese]Investigam-se no presente trabalho as relações entre a composição superficial e as propriedades mecânicas e tribolõgicas de aços carbono implantados com nitrogenio. Os resultados dos testes de propriedades mecanicas e ... -
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons
(2003) [Dissertação]A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ... -
Determinação da posição reticular de F em Si
(2006) [Dissertação]Neste trabalho, estudamos a posição de átomos de F na estrutura cristalina do Si. As amostras foram pré-amorfizadas utilizando um feixe de Si de 200 keV e, após, implantadas com F. Então recristalizamos a camada amorfa ... -
Difusão de Au e Hf em (alfa)-Ti
(1993) [Dissertação]Neste trabalho estuda-se a difusão de Au e Hf em a-Ti. O Hf, a princípio, deve ter um comportamento substitucional, enquanto o Au não preenche de forma absoluta as regras semi-empíricas que prevêem dissolução/difusão ... -
Os efeitos de fluxos de prótons sobre dispositivos MOS no espaço
(2003) [Dissertação]Dispositivos microeletrônicos como células solares e circuitos integrados MOS em satélites, estão sujeitos ao bombardeamento de partículas de alta energia, especialmente os uxos de prótons. Os danos causados pela irradiação ... -
Estudo da estrutura eletrônica de compostos intermetálicos do tipo fases de laves
(1982) [Tese]No presente trabalho foram estudadas as estruturas eletranicas de compostos intermetglicos pseudo-binários do tipo fases de Laves. Foi formulado um modelo para descrever o andamento do parâmetro de rede em função da ... -
Estudo da influência da temperatura de implantação na fotoluminescência de nanocristais de silício
(2006) [Tese]Neste trabalho estudamos a influência da temperatura de implantação iônica nas propriedades estruturais e de luminescência de nanocristais de Si em matriz de SiO2. Essas nanoestruturas, formadas por meio de implantação de ... -
Estudo de difusão de impurezas introduzidas por implantação iônica em polímeros
(2003) [Tese]No presente trabalho estudamos de forma sistemática a difusão de impurezas em filmes poliméricos usando as técnicas de implantação iônica e análise por feixe de íons, retroespalhamento Rutherford e de perfil de profundidade ... -
Estudo do alcance de íons pesados (29 menor ou igual Z1 menor ou igual 83) em alvos de berílio, carbono e dióxido de silício
(1989) [Tese]Neste trabalho estudamos experimentalmente, através da técnica de retroespalhamento de Rutherford, a distribuição de vários elementos C295. 2.15 83) implantados em filmes de Be, C e SiOz, na faixa de energia entre 10 e ... -
Estudo do poder de freamento eletrônico de íons de He e B canalizados em Si
(1997) [Tese]Neste trabalho, medimos a perda de energia de íons de He e B ao longo da direção < 100 > do Si, com energias que vão desde 200 ke V a 4,5 Me V, no primeiro caso, e de 500 ke V a 9 MeV, no segundo. Usamos a técnica de ... -
Estudo experimental de filmes ultrafinos de oxinitretos de silício por substituição isotópica e perfilometria com resolução subnanométrica
(1999) [Tese]Traçagem isotópica foi usada para investigar o transporte atômico durante o crescimento térmico de filmes de oxinitreto de silício em lâminas de silício previamente implantadas com íons de nitrogênio a energias muito baixas, ... -
Estudos da formação, estabilidade e ordenamento da fase gamma FeSi 2 produzida pela técnica de implantação iônica
(1996) [Tese]No presente trabalho implantamos íons de Fe em amostras de Si que são subseqüentemente recristalizadas pela técnica Cristalização Epitaxial Induzida por Feixe de íons (IBIEC). Quatro técnicas de análise (RBS, Canalização, ... -
Filmes finos de óxido de estanho: efeitos da implantação iônica e de ambientes oxidantes e redutores
(1990) [Dissertação]Filmes finos de óxido de estanho depositados por "sputtering" reativo foram caracterizados com bases em análises feitas por Espalhamento Nuclear Ressonante, Espectroscopia por Retroespalhamento Rutheford, Espectroscopia ... -
Implantação iônica de oxigênio em silício
(2001) [Tese]Foi estudada a produção de danos cristalográficos em silício por implantação de íons de oxigênio empregando-se doses na faixa de 1 x 1016 cm-2 a 4x 1017 cm-2 , energias entre 90 keV e 240 keV e temperaturas do substrato ... -
Implantação iônica e difusão auxiliada por radiação de estanho em ferro e aços
(1986) [Tese]O objetivo deste trabalho é estudar a composição, a estrutura e a morfologia de superfícies de ferro e aços impurificados com estanho, tanto por implantação iônica direta mo por Jiru ão auxiliada por radiação. Amostras de ... -
Implantação por recuo de antimônio em silício por bombardeamento com íons de argônio e germânio
(1986) [Dissertação]Estudamos o processo de dopagem de silício com antimônio por recuo promovido por bombardeamento iônico. Em nossas experiências o sistema filme fino de antimônio de 60 nm de espessura depositado sobre silício monocristalino ... -
Influência de bolhas de hélio e da microestrutura sobre a evolução térmica de filmes de alumínio implantados com cobre
(2002) [Dissertação]Este trabalho apresenta os resultados de um estudo sistemático sobre as influências do tamanho de grão de filmes finos de Al e da implantação de íons de He sobre a evolução térmica de distribuições de átomos de Cu e formação ... -
Interdifusão e reação em bicamadas de filmes finos de Fe-Al submetidas a tratamento em alto vácuo
(1989) [Tese]Apresenta-se aqui o estudo de interdifusão e reação no estado sólido em bicamadas de filmes finos de Fe-Al quando submetidas a tratamento térmico em alto vácuo. Três tipos de tratamento forma utilizados, isocrônico, ... -
Ion implantation and ion irradiation effects on nuclear and thermoelectric materials
(2019) [Tese]In this thesis the study of ion implantation and ion irradiation effects on microstructure and physical properties of nuclear and thermoelectric materials will be presented. Materials that are constantly exposed to radiation ...
