Navegação Física por Assunto "Háfnio"
Resultados 1-4 de 4
-
Caracterização elétrica de estruturas metal/dielétrico high-k/Si
(2005) [Dissertação]Foram estudadas as propriedades elétricas de estruturas MOS envolvendo materiais com Zr e Hf: Al/HfO2/Si, Al/HfAlO/Si, Al/ZrO2/Si e Al/ZrAlO/Si depositadas por JVD (Jet Vapor Deposition) submetidas a diferentes doses de ... -
Estabilização de nanoestruturas dielétricas de alta permissividade por incorporação de nitrogênio
(2007) [Tese]Atualmente os candidatos mais prováveis para aplicação como dielétrico de porta nas próximas gerações de dispositivos MOSFET são os filmes de silicato e aluminato metálicos com nitrogênio em sua composição. Neste trabalho ... -
Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si
(2002) [Dissertação]O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo ... -
Físico-química do hidrogênio em óxidos e silicatos de háfnio para aplicação como dielétrico de porta
(2008) [Tese]Após quatro décadas de sucesso do SiO2 (e SiOxNy), as novas gerações de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor utilizarão dielétricos de porta de materiais alternativos, dentre os quais se destacam o óxido ...
