Navegação Física por Assunto "Feixes de íons"
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Análise de materiais nanoestruturados utilizando feixes de íons
(2009) [Tese]A miniaturização de dispositivos tecnológicos levou à percepção de novas classes de efeitos devidos ao con namento quântico e à mudança na proporção entre número de átomos presentes na superfície e no volume de estruturas ... -
Avanços na determinação da distribuição em profundidade de elementos leves com resolução subnanométrica utilizando reações nucleares ressonantes
(2004) [Dissertação]A utilização de reações nucleares ressonantes estreitas em baixas energias é uma ferramenta importante para a determinação de distribuições de elementos leves em filmes finos com resolução em profundidade subnanométrica. ... -
Caracterização estrutural de nanocristais compostos via espalhamento de íons de alta resolução
(2013) [Tese]Nanocristais semicondutores (quantum dots - QDs) são empregados em quase todas as áreas da nanotecnologia. Isso se deve principalmente a possibilidade de controlar suas propriedades físicas, como propriedades ópticas e ... -
Determinação experimental de seção de choque de produção de raios X de Ru e Ag, induzida por feixe de íons
(2013) [Dissertação]Dados experimentais de seção de choque de produção de raios X de subcamadas L de Ag e de Ru foram obtidos de espectros de emissão de raios X (PIXE) induzidos por prótons e por partículas alfa. Foram utilizadas amostras de ... -
Efeitos da implantação de Ar e da irradiação de íons de Au e Xe sobre a microestrutura do aço AISI 316L para aplicações nucleares
(2021) [Tese]Materiais expostos à irradiação de nêutrons geralmente apresentam degradação em suas propriedades físicas. Este é um problema importante para a tecnologia de reatores nucleares, pois influencia na segurança operacional e ... -
Efeitos de espalhamentos múltiplos na análise de materiais nanoestruturados via MEIS
(2013) [Dissertação]A síntese de sistemas nanoestruturados bidimensionais enterrados em matrizes sólidas têm atraído interesse em associação, por exemplo, com aplicações plasmônicas e magnéticas. Para ambas, as propriedades dos sistemas de ... -
Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si
(2002) [Dissertação]O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo ... -
Estudo de camadas superficiais de SiC e GaAsN sintetizadas por implantação iônica em Si e GaAs
(2013) [Tese]Semicondutores de gap de banda grande possuem um vasto campo de aplicação na construção de dispositivos que necessitam operar em alta potência, em alta frequência e em ambientes hostis. Nesse trabalho apresentamos um estudo ... -
Estudo de difusão de impurezas introduzidas por implantação iônica em polímeros
(2003) [Tese]No presente trabalho estudamos de forma sistemática a difusão de impurezas em filmes poliméricos usando as técnicas de implantação iônica e análise por feixe de íons, retroespalhamento Rutherford e de perfil de profundidade ... -
Estudo do crescimento de filmes de carbono sobre silício devido à irradiação com feixes de H e He
(2001) [Dissertação]É bem conhecido que técnicas experimentais que fazem uso de feixes iônicos induzem sobre a superfície dos alvos irradiados o depósito de diversos tipos de impurezas. Este depósito é causado pelas interações entre o feixe ... -
Filmes finos dielétricos para a tecnologia do silício : processamento térmico e caracterização
(2003) [Tese]O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o dielétrico de porta utilizado por mais de 40 anos em dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), ... -
Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados
(2003) [Tese]Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas ... -
Imageamento e análise de células U87 tratadas com cisplatina por µ-PIXE
(2022) [Dissertação]O estudo das propriedades e interações de drogas quimioterápicas possui um papel vital no desenvolvimento de novos tratamentos oncológicos e no aprimoramento dos que estão atualmente em uso. A cisplatina (Pt(NH3)2Cl2) e ... -
Modificação da anisotropia magnética através de feixes de íons
(2010) [Dissertação]São investigadas as modificações na anisotropia magnética de exchange bias (EB) de filmes finos de IrMn/Cu/Co induzidas pela irradiação de íons. Os filmes são constituídos de uma camada antiferromagnética (AF) de IrMn ... -
Novas fases amorfas de carbono produzidas por irradiação iônica de filmes de C/sub 60/, [alfa]-C e [alfa]-C:H
(2003) [Tese]Neste trabalho estuda-se a formação de novas fases de carbono amorfo através da irradiação iônica de filmes de fulereno, a-C e a-C:H polimérico. Os efeitos da irradiação iônica na modificação das propriedades ópticas e ... -
Perda de energia e potenciais de espalhamento para o freamento de prótons e dímeros
(2018) [Tese]A partir de uma abordagem teórica e experimental, a perda de energia ou a força de freamento de íons individuais e dímeros atravessando um gás de elétrons livres (teoricamente) e um meio sólido (experimentalmente) e ... -
Poder de freamento e dispersão da perda de energia de prótons em filmes finos de platina : a importância do agrupamento de elétrons
(2021) [Tese]Neste trabalho foi determinado, por meio de medidas experimentais com a técnica medium-energy ion scattering, o poder de freamento e dispersão da perda de energia de prótons com energias intermediárias (60–250 keV) em ... -
Simulação por dinâmica molecular da irradiação de íons de carbono em nanotubos de carbono
(2006) [Dissertação]Nós investigamos a formação de ligações entre nanotubos de carbono vizinhos dentro de uma corda. Dinâmica molecular clássica foi usada para acompanhar a evolução do sistema quando ele é bombardeado por átomos de carbono ... -
Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons
(2017) [Dissertação]Neste trabalho foi desenvolvido um estudo sistemático dos mecanismos de difusão responsáveis pelo switching de resistência em memórias resistivas. Essas memórias possuem estrutura semelhante a de um capacitor, a qual sofre ... -
Síntese por feixe de íons de GaN-layer sobre GaAs
(2018) [Tese]O Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de gap direto, motivo de numerosas pesquisas científicas, principalmente devido a sua importância na fabricação de dispositivos de alta potência e optoeletrônicas. Ligas de GaN ...