Navegação Física por Assunto "Arseneto de galio"
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Uma análise da dinâmica vibracional de cristais por EXAFS
(2015) [Dissertação]O objetivo deste trabalho é estudar a dinâmica vibracional de dois materiais cristalinos: o germânio (Ge) e o arseneto de gálio (GaAs) por intermédio da técnica de XAFS. Inicialmente, uma breve revisão baseada nas teorias ... -
Modificação de características elétricas de estruturas semicondutoras III-V através de bombardeamento com íons
(2004) [Dissertação]A isolação elétrica de estruturas semicondutoras de InP e GaAs através de bombardeamento com íons foi estudada. Amostras de InP semi-isolante e tipo-p foram implantadas com íons P+ para produzir excesso de átomos de fósforo ... -
Síntese por feixe de íons de GaN-layer sobre GaAs
(2018) [Tese]O Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de gap direto, motivo de numerosas pesquisas científicas, principalmente devido a sua importância na fabricação de dispositivos de alta potência e optoeletrônicas. Ligas de GaN ...