Navegação Física por Assunto "Arsênio"

Resultados 1-3 de 3

    • Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons 

      Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2003) [Dissertação]
      A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ...

    • Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX 

      Oliveira, Roana Melina de (2007) [Dissertação]
      Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado ...

    • Junções rasas em Si e SIMOX 

      Dalponte, Mateus (2004) [Dissertação]
      Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia ...