Navegação Física por Autor "Souza, Joel Pereira de"
Resultados 1-2 de 2
-
Implantação iônica de oxigênio em silício
Cima, Carlos Alberto (2001) [Tese]Foi estudada a produção de danos cristalográficos em silício por implantação de íons de oxigênio empregando-se doses na faixa de 1 x 1016 cm-2 a 4x 1017 cm-2 , energias entre 90 keV e 240 keV e temperaturas do substrato ... -
Implantação por recuo de antimônio em silício por bombardeamento com íons de argônio e germânio
Erichsen Junior, Rubem (1986) [Dissertação]Estudamos o processo de dopagem de silício com antimônio por recuo promovido por bombardeamento iônico. Em nossas experiências o sistema filme fino de antimônio de 60 nm de espessura depositado sobre silício monocristalino ...