Navegação Física por Autor "Santos, Jose Henrique Rodrigues dos"
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Determinação da posição reticular de F em Si
(2006) [Dissertação]Neste trabalho, estudamos a posição de átomos de F na estrutura cristalina do Si. As amostras foram pré-amorfizadas utilizando um feixe de Si de 200 keV e, após, implantadas com F. Então recristalizamos a camada amorfa ... -
Difusão de Au e Hf em (alfa)-Ti
(1993) [Dissertação]Neste trabalho estuda-se a difusão de Au e Hf em a-Ti. O Hf, a princípio, deve ter um comportamento substitucional, enquanto o Au não preenche de forma absoluta as regras semi-empíricas que prevêem dissolução/difusão ... -
Estudo do poder de freamento eletrônico de íons de He e B canalizados em Si
(1997) [Tese]Neste trabalho, medimos a perda de energia de íons de He e B ao longo da direção < 100 > do Si, com energias que vão desde 200 ke V a 4,5 Me V, no primeiro caso, e de 500 ke V a 9 MeV, no segundo. Usamos a técnica de ... -
Medidas do poder de freamento de íons de He e Li em filmes de Zn
(2003) [Dissertação]Neste trabalho, medimos a perda de energia de íons de He e Li em Zn, com energias que vão de 400 keV a 7 MeV, no primeiro caso, e de 300 keV a 5 MeV, no segundo. Usamos a técnica de retroespalhamento de Rutherford com ...
