Navegação Física por Autor "Radtke, Claudio"
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Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
Palmieri, Rodrigo (2009) [Tese]O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta ... -
Caracterização estrutural de nanocristais compostos via espalhamento de íons de alta resolução
Sortica, Maurício de Albuquerque (2013) [Tese]Nanocristais semicondutores (quantum dots - QDs) são empregados em quase todas as áreas da nanotecnologia. Isso se deve principalmente a possibilidade de controlar suas propriedades físicas, como propriedades ópticas e ... -
Crescimento térmico de filmes dielétricos sobre SiC e caracterização das estruturas formadas
Radtke, Claudio (2003) [Tese]Na presente tese, foi investigado o crescimento térmico de filmes dielétricos (óxido de silício e oxinitreto de silício) sobre carbeto de silício. Além disso, os efeitos da irradiação iônica do SiC antes de sua oxidação, ... -
Estabilidade de filmes de GeOxNy crescidos termicamente sobre Ge
Copetti, Gabriela (2015) [Dissertação]A instabilidade térmica do óxido de germânio (GeO2) é um obstáculo à utilização de germânio (Ge) como material semicondutor em dispositivos MOSFET. Essa instabilidade é induzida por vacâncias de oxigênio originadas de uma ... -
Halogenação de materiais 2D
Copetti, Gabriela (2019) [Tese]Materiais 2D têm recebido grande atenção da comunidade científica devido ao seu potencial no processo de miniaturização de dispositivos microeletrônicos. Porém, muitas vezes a adaptação de suas propriedades é necessária à ... -
Propriedades físico-químicas de filmes finos de Al2O3 depositados por sputtering sobre Ge
Bom, Nicolau Molina (2011) [Dissertação]Nesta dissertação, foram investigadas as propriedades físico-químicas de filmes finos de óxido de alumínio (Al2O3). O Al2O3 foi depositado sobre substratos germânio (Ge) e silício (Si) por magnetron sputtering reativo, ...