Navegação Física por Autor "Boudinov, Henri Ivanov"
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Caracterização elétrica de estruturas metal/dielétrico high-k/Si
Palmieri, Rodrigo (2005) [Dissertação]Foram estudadas as propriedades elétricas de estruturas MOS envolvendo materiais com Zr e Hf: Al/HfO2/Si, Al/HfAlO/Si, Al/ZrO2/Si e Al/ZrAlO/Si depositadas por JVD (Jet Vapor Deposition) submetidas a diferentes doses de ... -
Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
Palmieri, Rodrigo (2009) [Tese]O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta ... -
Controle das propriedades ópticas e elétricas do ITO por bombardeamento com íons
Leite, Gabriel Volkweis (2015) [Dissertação]Este trabalho apresenta as variações das propriedades ópticas e elétricas do ITO (Oxido de índio dopado com Estanho) por bombardeamento iônico. Os bombardeamentos foram realizados com íons Ar+ com perfil único e com perfil ... -
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons
Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2003) [Dissertação]A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a ... -
Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo
Leite, Gabriel Volkweis (2019) [Tese]Neste trabalho, desenvolveu-se a tecnologia de fabricação de transistores orgânicos de efeito de campo utilizando-se as técnicas de fotolitografia e plasma de oxigênio. Foram produzidos transistores com boas características: ... -
Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição
Silva, Ricardo Cunha Gonçalves da (2004) [Dissertação]O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O ... -
Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX
Oliveira, Roana Melina de (2007) [Dissertação]Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado ... -
Os efeitos de fluxos de prótons sobre dispositivos MOS no espaço
Parizotto, Rodrigo (2003) [Dissertação]Dispositivos microeletrônicos como células solares e circuitos integrados MOS em satélites, estão sujeitos ao bombardeamento de partículas de alta energia, especialmente os uxos de prótons. Os danos causados pela irradiação ... -
Estudo de camadas superficiais de SiC e GaAsN sintetizadas por implantação iônica em Si e GaAs
Reis, Roberto Moreno Souza dos (2013) [Tese]Semicondutores de gap de banda grande possuem um vasto campo de aplicação na construção de dispositivos que necessitam operar em alta potência, em alta frequência e em ambientes hostis. Nesse trabalho apresentamos um estudo ... -
Isolação elétrica por implantação iônica em GaAs e AlGaAs
Coelho, Artur Vicente Pfeifer (2008) [Tese]O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas ... -
Junções rasas em Si e SIMOX
Dalponte, Mateus (2004) [Dissertação]Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia ... -
Modificação de características elétricas de estruturas semicondutoras III-V através de bombardeamento com íons
Pesenti, Giovani Cheuiche (2004) [Dissertação]A isolação elétrica de estruturas semicondutoras de InP e GaAs através de bombardeamento com íons foi estudada. Amostras de InP semi-isolante e tipo-p foram implantadas com íons P+ para produzir excesso de átomos de fósforo ... -
Nitreto de silício depositado por sputtering reativo para aplicação em memória não-volátil
Adam, Matheus Coelho (2013) [Dissertação]No presente trabalho, foram desenvolvidos diferentes regimes de deposição de filmes de nitreto de silício, empregando a técnica de sputtering reativo, para a aplicação em memória não-volátil de aprisionamento de carga ... -
Pré-amorfização de silício por implantação iônica de estanho para formação de junções rasas tipo-p
Scherer, Elza Miranda (2007) [Dissertação]Nesta dissertação estudamos a possibilidade de uso de implantação iônica de estanho para pré-amorfização do silício cristalino e sua aplicabilidade na tecnologia de fabricação de junções rasas. Foi estudada a amorfização ... -
Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias
Dalponte, Mateus (2008) [Tese]A redistribuição e ativação elétrica dos dopantes tipo n (As e Sb) e tipo p (Ga e In) em Si com excesso de vacâncias foram analisadas. As vacâncias foram geradas por implantação iônica de altas doses de oxigênio ou nitrogênio ... -
Síntese, engenharia de defeitos e caracterização óptica de nanofios de ZnO
Lisevski, Caroline Inês (2015) [Tese]Neste trabalho foi otimizado o processo de crescimento de nanofios de ZnO pelo método vapor-líquido-sólido. As nanoestruturas obtidas foram caracterizadas quanto às suas propriedades ópticas através de medidas de ...