Navegação Física por Assunto "Carbeto de silício"
Resultados 1-3 de 3
-
Caracterização elétrica e físico-química de estruturas dielétrico/4H-SiC obtidas por oxidação térmica
(2009) [Tese]O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta ... -
Síntese de SiC através de implantação iônica de carbono em SiO2/Si : influência da espessura da capa de SiO2 e de padrões de áreas finas produzidos por litografia
(2019) [Tese]Semicondutores de gap grande são capazes de operar em situações extremas, como em alta potência, alta frequência e em ambientes hostis e, portanto, são de grande interesse tecnológico. Carbeto de Silício (SiC) apresenta ... -
Síntese de SiC por implantação iônica de carbono em SIMOX(111) e Si(111)
(2009) [Dissertação]SiC é um semicondutor promissor para dispositivos eletrônicos de alta-potência, alta-freqüência e alta temperatura e a síntese de uma camada epitaxial de SiC por implantação, na superfície do Si, pode ser uma via de ...