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dc.contributor.advisorBehar, Monipt_BR
dc.contributor.authorSoares, Marcio Ronaldo Fariaspt_BR
dc.date.accessioned2007-06-06T17:31:56Zpt_BR
dc.date.issued2003pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/3985pt_BR
dc.description.abstractNo presente trabalho estudamos de forma sistemática a difusão de impurezas em filmes poliméricos usando as técnicas de implantação iônica e análise por feixe de íons, retroespalhamento Rutherford e de perfil de profundidade por nêutrons. Com este propósito foram implantadas e realizadas medidas em diferentes intervalos de temperatura para diferentes sistemas como (Au, Ag) no fotoresiste AZ1350, (Bi, Eu, Er, B) no fotoresiste S1813 e (Xe, Kr) no termoplástico Poliestireno. Como resultado mostrou-se que para implantações em baixas energias e fluências Au, Ag seguem uma difusão regular. Os valores obtidos para os parâmetros de difusão são semelhantes indicando assim um mecanismo de difusão verdadeiramente atômico. É mostrado também que com o aumento da fluência, devido aos danos gerados pelo processo de implantação, átomos são aprisionados na região implantada levando a um mecanismo de difusão por aprisionamento e liberação. Contudo, mostrou-se que a energia de ativação indica que este processo de difusão ainda é de caráter atômico. Da análise dos valores de D observamos um efeito de massa associado onde D(T)Au < D(T)Ag, pois a massa de Ag é duas vezes menor que a de Au. Para os elementos como Bi, Eu e Er, considerados quimicamente mais ativos que Au, não foram observados efeitos de possíveis ligações químicas nestes sistemas. Valores de energia de ativação de Bi apresentaram-se próximos aos de Au para as fluências de implantação aplicadas, o mesmo ocorrendo para a difusão de Er e Eu. O B mostrou que depois de implantado difunde durante ou imediatamente após a implantação. Difusão esta dada na presença de armadilhas saturáveis induzidas por radiação, indo além da difusão térmica, por ordem de magnitude de ≈10-12, contra ≈10-13 cm2s-1, respectivamente. Quanto a Xe e Kr, observou-se que estes também difundem durante ou imediatamente após a implantação, e que a fração do gás retido no pico depende da fluência implantada. Implantações em baixa temperatura (80 K) e posteriores análises foram determinados in situ por RBS na faixa de 80 a 300 K. Verificou-se que a difusão segue um perfil regular. Em cada caso mostrou-se que a dependência dos valores de D como função da temperatura segue um comportamento tipo Arrhenius, com valores de energia de ativação para os metais (Au, Ag, Bi) entre 580 e 680 meV, para os lantanídeos (Er, Eu) valores entre 525 a 530 meV, para o semi-metal (B) 100 meV, e finalmente para os gases nobres Kr e Xe entre 40 e 67 meV.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectFilmes de polímerospt_BR
dc.subjectDifusãopt_BR
dc.subjectImpurezaspt_BR
dc.subjectNíveis profundospt_BR
dc.subjectImplantacao de ionspt_BR
dc.subjectRetroespalhamento rutherfordpt_BR
dc.subjectFeixes de íonspt_BR
dc.subjectTratamento térmicopt_BR
dc.subjectOuropt_BR
dc.subjectPratapt_BR
dc.subjectBismutopt_BR
dc.subjectEurópiopt_BR
dc.subjectErbiopt_BR
dc.subjectBoropt_BR
dc.subjectXenoniopt_BR
dc.subjectCriptoniopt_BR
dc.titleEstudo de difusão de impurezas introduzidas por implantação iônica em polímerospt_BR
dc.typeTesept_BR
dc.contributor.advisor-coAmaral, Liviopt_BR
dc.identifier.nrb000395651pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Físicapt_BR
dc.degree.programCurso de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2003pt_BR
dc.degree.leveldoutoradopt_BR


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