Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si
dc.contributor.advisor | Morais, Jonder | pt_BR |
dc.contributor.author | Miotti, Leonardo | pt_BR |
dc.date.accessioned | 2007-06-06T17:30:37Z | pt_BR |
dc.date.issued | 2004 | pt_BR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10183/3785 | pt_BR |
dc.description.abstract | Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). Esses filmes foram submetidos a diferentes seqüências de tratamentos térmicos em atmosferas inerte e de O2, e foram caracterizados através de análises de feixe de íons e espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS). Nesse estudo foi observado que a incorporação de oxigênio se dá através da troca com N ou O previamente existente nos filmes. Em filmes de aproximadamente 50 nm de espessura foi observado que a presença do N limita a difusão de oxigênio de forma que a frente de incorporação avança em direção ao interior do filme com o aumento do tempo de tratamento, enquanto nos filmes de HfSiO/Si o oxigênio é incorporado ao longo de todo o filme, mesmo para o tempo mais curto de tratamento. Diferentemente de outros materiais high- estudados, não foi possível observar migração de Si do substrato em direção a superfície dos filmes de HfSiON/Si com aproximadamente 2,5 nm de espessura. Os resultados obtidos nesse trabalho mostram que filmes de HfSiON/Si são mais estáveis termicamente quando comparados com outros filmes dielétricos depositados sobre Si anteriormente estudados, mas antes que ele se torne o dielético de porta é ainda necessário que se controle a difusão de N em direção ao substrato como observado nesse trabalho. | pt_BR |
dc.format.mimetype | application/pdf | pt_BR |
dc.language.iso | por | pt_BR |
dc.rights | Open Access | en |
dc.subject | Estabilidade térmica | pt_BR |
dc.subject | Transporte atomico | pt_BR |
dc.subject | Filmes finos dieletricos | pt_BR |
dc.subject | Silício | pt_BR |
dc.subject | Tratamento térmico | pt_BR |
dc.subject | Oxigênio | pt_BR |
dc.subject | Feixes de íons | pt_BR |
dc.subject | Espectros de raios-x de fotoeletrons | pt_BR |
dc.subject | Nitrogênio | pt_BR |
dc.subject | Difusão | pt_BR |
dc.title | Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si | pt_BR |
dc.type | Dissertação | pt_BR |
dc.identifier.nrb | 000404318 | pt_BR |
dc.degree.grantor | Universidade Federal do Rio Grande do Sul | pt_BR |
dc.degree.department | Instituto de Física | pt_BR |
dc.degree.program | Curso de Pós-Graduação em Física | pt_BR |
dc.degree.local | Porto Alegre, BR-RS | pt_BR |
dc.degree.date | 2004 | pt_BR |
dc.degree.level | mestrado | pt_BR |
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