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dc.contributor.advisorMorais, Jonderpt_BR
dc.contributor.authorMiotti, Leonardopt_BR
dc.date.accessioned2007-06-06T17:30:37Zpt_BR
dc.date.issued2004pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/3785pt_BR
dc.description.abstractEsse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). Esses filmes foram submetidos a diferentes seqüências de tratamentos térmicos em atmosferas inerte e de O2, e foram caracterizados através de análises de feixe de íons e espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS). Nesse estudo foi observado que a incorporação de oxigênio se dá através da troca com N ou O previamente existente nos filmes. Em filmes de aproximadamente 50 nm de espessura foi observado que a presença do N limita a difusão de oxigênio de forma que a frente de incorporação avança em direção ao interior do filme com o aumento do tempo de tratamento, enquanto nos filmes de HfSiO/Si o oxigênio é incorporado ao longo de todo o filme, mesmo para o tempo mais curto de tratamento. Diferentemente de outros materiais high- estudados, não foi possível observar migração de Si do substrato em direção a superfície dos filmes de HfSiON/Si com aproximadamente 2,5 nm de espessura. Os resultados obtidos nesse trabalho mostram que filmes de HfSiON/Si são mais estáveis termicamente quando comparados com outros filmes dielétricos depositados sobre Si anteriormente estudados, mas antes que ele se torne o dielético de porta é ainda necessário que se controle a difusão de N em direção ao substrato como observado nesse trabalho.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectEstabilidade térmicapt_BR
dc.subjectTransporte atomicopt_BR
dc.subjectFilmes finos dieletricospt_BR
dc.subjectSilíciopt_BR
dc.subjectTratamento térmicopt_BR
dc.subjectOxigêniopt_BR
dc.subjectFeixes de íonspt_BR
dc.subjectEspectros de raios-x de fotoeletronspt_BR
dc.subjectNitrogêniopt_BR
dc.subjectDifusãopt_BR
dc.titleTransporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Sipt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.identifier.nrb000404318pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Físicapt_BR
dc.degree.programCurso de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2004pt_BR
dc.degree.levelmestradopt_BR


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