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dc.contributor.advisorMorais, Jonderpt_BR
dc.contributor.authorBastos, Karen Pazpt_BR
dc.date.accessioned2007-06-06T17:22:23Zpt_BR
dc.date.issued2002pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/2492pt_BR
dc.description.abstractO presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo método de deposição química de organometálicos na fase vapor (MOCVD) sobre Si, contendo uma camada interfacial oxinitretada em NO (óxido nítrico). A caracterização foi realizada utilizando-se técnicas de análise por feixes de íons e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS). Também foram realizadas medidas elétricas sobre os filmes. Os estudos indicaram que esta estrutura é essencialmente estável aos tratamentos térmicos quando é feito um pré-tratamento térmico em atmosfera inerte de argônio, antes de tratamento em atmosfera reativa de oxigênio, exibindo uma maior resistência à incorporação de oxigênio do que quando foi diretamente exposta à atmosfera de oxigênio. Tal estabilidade é atribuída a um sinergismo entre as propriedades do sistema HfO2/Si e a barreira à difusão de oxigênio constituída pela camada interfacial oxinitretada. A composição química dos filmes após os tratamentos térmicos é bastante complexa, indicando que a interface entre o filme e o substrato tem uma composição do tipo HfSixOyNz. Foi observada a migração de Hf para dentro do substrato de Si, podendo esta ser a causa de degradação das características elétricas do filme.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectFilmes finospt_BR
dc.subjectTransporte atomicopt_BR
dc.subjectTermodinâmicapt_BR
dc.subjectReacoes quimicas especificaspt_BR
dc.subjectArgoniopt_BR
dc.subjectOxigêniopt_BR
dc.subjectDeposicao de vapor quimicopt_BR
dc.subjectSiliciopt_BR
dc.subjectFeixes de íonspt_BR
dc.subjectEspectroscopiapt_BR
dc.subjectHáfniopt_BR
dc.titleEstudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Sipt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.contributor.advisor-coBaumvol, Israel Jacob Rabinpt_BR
dc.identifier.nrb000370661pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Físicapt_BR
dc.degree.programCurso de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2002pt_BR
dc.degree.levelmestradopt_BR


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