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Navegação Microeletrônica por Assunto "Semicondutores"

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    • Características e mecanismos do crescimento térmico de SiO₂ sobre SiC utilizando diferentes espécies oxidantes 

      Dartora, Gustavo Henrique Stedile (2024) [Tese]
      Ora tido como material semicondutor emergente, o carbeto de silício (SiC) hoje toma grande parte do mercado de dispositivos eletrônicos de alta potência. Este trabalho investiga o processo de crescimento de dióxido de ...
    • Controle da transição de fase cristalina de dissulfeto de molibdênio (MoS2) com feixe de íons 

      Silva, Alexsandro Vieira da (2023) [Dissertação]
      Recentemente, os dicalcogenetos de metais de transição, ou simplesmente TMDs, têm atraído grande atenção devido às suas vastas aplicações tecnológicas. Entre esses materiais, o dissulfeto de molibdênio (MoS2), um material ...
    • Ensemble Monte Carlo simulation of hole transport in Si, Ge and SiGe Alloys 

      Soares, Caroline dos Santos (2020) [Dissertação]
      Electrical behavior of microelectronic devices can be described by analyzing charge carrier transport. In this work, an Ensemble Monte Carlo code was adapted to simulate hole transport inside silicon, germanium and SiGe ...
    • Flexible temperature pressure organic sensor 

      Martins, Lucas Prates (2020) [Dissertação]
      This work aimed to develop pressure and temperature sensor based on piezo-resistive and thermoelectric phenomena, using porous polyurethane and melamine foams impregnated with a solution of Poly (3,4-ethylenedioxythiophe ...
    • Investigação dos processos de crescimento térmico de dióxido de silício sobre carbeto de silício 

      Dartora, Gustavo Henrique Stedile (2018) [Dissertação]
      Este trabalho investiga a cinética de oxidação do carbeto de silício (SiC) monocristalino, assim como as propriedades físico-químicas da interface e do filme fino de óxido (SiO2) formado. Serão discutidos filmes finos ...
    • Materiais semicondutores alternativos ao silício : passivação do germânio e síntese de dissulfeto de molibdênio 

      Etcheverry, Louise Patron (2020) [Tese]
      Nas últimas décadas a indústria da microeletrônica evoluiu rapidamente. Atualmente, novos materiais semicondutores têm sido pesquisados para substituir o Si em dispositivos. No presente trabalho, foram estudados o processamento ...
    • Método para legalização de circuitos com células de altura múltipla 

      Ferreira, Jorge Alberto (2022) [Dissertação]
      Desde a década de 1970, novas tecnologias de semicondutores impactam nossa sociedade. Desde então, o número de componentes num mesmo circuito é dobrado a cada dois anos, seguindo a Lei de Moore. Com esse avanço, os ...
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      Modelo para projeção de custo e capacidade para testes de semicondutores 

      Fantinel, William Mendes (2016) [Dissertação]
      Este trabalho tem como objetivo estudar os métodos de desenvolvimento de testes de semicondutores em testadores de baixo custo e propor ferramentas que proporcionem a redução dos custos da realização destes testes. Para ...
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      Processamento físico-químico de semicondutores com alta-mobilidade de portadores : germânio e grafeno 

      Bom, Nicolau Molina (2015) [Tese]
      A evolução da microeletrônica ocorrida nas últimas cinco décadas levou a tecnologia do Silício (Si) aos seus limites. A busca por novos materiais semicondutores se faz necessária, tendo em vista a continuidade de Lei de ...
    • Sulfurização de filmes de WO3 visando à obtenção do material semicondutor bidimensional WS2 

      Cabeda, Dheryck Schwendler (2021) [Dissertação]
      The subject of this work is the study of the WS2 growth process, by sulfurization of a sputter-deposited WO3 film, on silicon oxide (SiO2). The influence of different growth parameters will be discussed and demonstrated, ...

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