Navegação Microeletrônica por Assunto "MOS structure"
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Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica
(2013) [Dissertação]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta freqüência e/ou temperatura. Além disso, um filme ...