Navegação Microeletrônica por Assunto "Física"
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Desenvolvimento e otimização de tecnologia CMOS com porta de silício policristalino
(2008) [Tese]Um chip conversor A/D (analógico/digital) foi utilizado para o desenvolvimento da tecnologia CMOS de 5 μm com poço tipo-p e porta de silício policristalino no Laboratório de Microeletrônica (LμE) do Instituto de Física da ... -
Diodos schottky de SiC para uso como detectores de energia de partículas carregadas
(2017) [Tese]Neste trabalho foram investigadas estruturas de diodos Schottky de carbeto de silício (SiC) com potencial uso em detectores de energia de partículas carregadas. Para tanto, foram fabricados diodos Schottky de SiC do tipo ... -
Fabricação e caracterização de um sensor múltiplo sensível à posição
(2011) [Dissertação]Este trabalho aborda o design, a fabricação e a caracterização de um sensor óptico de posição, o múltiplo PSD (Position Sensitive Detector). O sensor é composto de 64 PSDs unidimensionais em paralelo. O PSD é um sensor do ...