Navegação Microeletrônica por Assunto "3D simulation"
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Modelamento do single-Event effiects em circuitos de memória FDSOI
(2016) [Dissertação]Este trabalho mostra a comparação dos efeitos das falhas provocadas pelos Single-Event Effects em dispositivos 28nm FDSOI, 28nm FDSOI High-K e 32nm Bulk CMOS e células de memória 6T SRAM feitas com estes dispositivos. Para ...