Navegação Microeletrônica por Autor "Wirth, Gilson Inacio"
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Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients
Silva, Michele Gusson Vieira da (2017) [Dissertação]Aplicações em ambientes expostos a elevados níveis de radiação ionizante impõem uma série de desafios ao desenvolvimento de projetos de circuitos integrados na tecnologia Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS), uma ... -
Arquiteturas em hardware para o alinhamento local de sequências biológicas
Mallmann, Rafael Mendes (2010) [Dissertação]Bancos de dados biológicos utilizados para comparação e alinhamento local de sequências tem crescido de forma exponencial. Isso popularizou programas que realizam buscas nesses bancos. As implementações dos algoritmos de ... -
Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization
Both, Thiago Hanna (2017) [Tese]Low-frequency noise (LFN) is a performance limiter for analog, digital and RF circuits, introducing phase noise in oscillators and reducing the stability of SRAM cells, for example. Metal-oxide-semiconductor field-effect ... -
Bandgap voltage references in submicrometer CMOS technology
Colombo, Dalton Martini (2009) [Dissertação]Referências de tensão são blocos fundamentais em uma série de aplicações de sinais mistos e de rádio frequência, como por exemplo, conversores de dados, PLL's e conversores de potência. A implementação CMOS mais usada para ... -
Circuito on-chip para a caracterização em alta escala do efeito de Bias Temperature Instability
Silva, Maurício Banaszeski da (2016) [Dissertação]O trabalho propõe um circuito para caracterização estatística do fenômeno Bias Temperature Instability (BTI). O circuito tem como base uma matriz de transistores para caracterização eficiente em larga escala de BTI. O ... -
Design flow methodology for Radiation hardening by Design CMOS Enclosed Layout Transistor based standard cell library for aerospace applications
Vaz, Pablo Ilha (2019) [Tese]Applications exposed to incidence of ionizing radiation, such as aerospace applications, may have their performance and reliability degraded by the interaction of high-energy ions. Thus, applications exposed to incidence ... -
Design of analog integrated circuits aiming characterization of radiation and noise
Colombo, Dalton Martini (2015) [Tese]This thesis is focused on two challenges faced by analog integrated circuit designers when predicting the reliability of transistors implemented in modern CMOS processes: radiation and noise. Regarding radiation, the concern ... -
Efeitos da radiação ionizante e técnicas de proteção aplicadas a projetos de dispositivos MOS customizados
Vaz, Pablo Ilha (2015) [Dissertação]Os efeitos produzidos pela interação da radiação ionizante com os circuitos integrados podem ser classificados em efeitos de eventos únicos (Single Event Effects - SEE), comumente relacionados a problemas transientes, e ... -
Ensemble Monte Carlo simulation of hole transport in Si, Ge and SiGe Alloys
Soares, Caroline dos Santos (2020) [Dissertação]Electrical behavior of microelectronic devices can be described by analyzing charge carrier transport. In this work, an Ensemble Monte Carlo code was adapted to simulate hole transport inside silicon, germanium and SiGe ... -
Evaluating the impact of charge traps on MOSFETs and ciruits
Camargo, Vinícius Valduga de Almeida (2016) [Tese]Nesta tese são apresentados estudos do impacto de armadilhas no desempenho elétrico de MOSFETs em nível de circuito e um simulador Ensamble Monte Carlo (EMC) é apresentado visando a análise do impacto de armadilhas em nível ... -
Modelagem e simulação de NBTI em circuitos digitais
Camargo, Vinícius Valduga de Almeida (2012) [Dissertação]A miniaturização dos transistores do tipo MOS traz consigo um aumento na variabilidade de seus parâmetros elétricos, originaria do processo de fabricação e de efeitos com dependência temporal, como ruídos e degradação ... -
Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level
Brusamarello, Lucas (2011) [Tese]O efeito das variações intrínsecas afetando parâmetros elétricos de circuitos fabricados com tecnologia CMOS de escala nanométrica apresenta novos desafios para o yield de circuitos integrados. Este trabalho apresenta ... -
Modeling and simulation of self-heating effects in p-type MOS transistors
Rossetto, Alan Carlos Junior (2018) [Tese]The complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) scaling process of the recent decades, coupled with new device structures and materials, has aggravated thermal problems and turned them into major reliability issues for ... -
A physics-based statistical random telegraph noise model
Silva, Maurício Banaszeski da (2016) [Tese]Low Frequency Noise (LFN) and Random Telegraph Noise (RTN) are performance limiters in many analog and digital circuits. For small area devices, the noise power spectral density can easily vary by many orders of magnitude, ... -
Protecting digital circuits against hold time violations due to process variations
Neuberger, Gustavo (2007) [Tese]Com o desenvolvimento da tecnologia CMOS, os circuitos estão ficando cada vez mais sujeitos a variabilidade no processo de fabricação. Variações estatísticas de processo são um ponto crítico para estratégias de projeto de ... -
State-of-the-art 3-D Monte Carlo Device Simulation : from n-MOSFETs to n-FinFETs
Furtado, Gabriela Firpo (2021) [Tese]A novel 3-D TCAD Monte Carlo n-type semiconductor device simulator is presented in this work. The first step to achieve such comprehensive simulator was to develop a n-type bulk-Si simulator to be used as the basis for the ... -
Study of the hysteretic behavior in ZnO nanoparticle thin-film transistors
Vidor, Fábio Fedrizzi (2012) [Dissertação]Nas últimas décadas, o interesse na eletrônica flexível tem aumentado. Sistemas que apresentam benefícios, tais como: baixo custo, melhor desempenho, transparência, confiabilidade e melhores credenciais ecológicas, estão ...