Navegação TCC Engenharias por Assunto "HfO2"
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Caracterização de dielétricos depositados por “atomic layer deposition’’ usando estrutura MOS
(2016) [Trabalho de conclusão de graduação]Capacitores MOS com camadas dielétricas de Al2O3, HfO2, TiO2, fabricadas usando a técnica de deposição por camada atômica (ALD) e de SiO2, fabricadas por oxidação térmica. Medidas de I - V e C - V foram utilizadas para ...