Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+

Abstract

Este trabalho trata essencialmente da fabricação e caracterização elétrica de capacitares MOS. Inicialmente, é feita uma descrição do modelo elétrico da estrutura MOS, abordando tanto um capacitar ideal, quanto as "não-idealidades" de uma estrutura real. Os defeitos no silício e o uso da implantação iônica na tecnologia MOS também são brevemente descritos. A seguir, os métodos de carcterização elétrica que utilizam capacitares MOS são revisados. Estes métodos permitem medir a carga fixa de interface (Qf), a carga móvel no óxido (Qm), a densidade de estados de interface (Dit) e o tempo de geração de portadores minoritários ('tg) a partir de curvas CxY g e Cxt. O desenvolvimento de um medidor de capacitância em alta freqüência (1OOkHz) é descrito no terceiro capítulo. Com os dados fornecidos por este instrumento, foi possível calcular os parâmetros mencionados, por meio de um programa de computador especialmente elaborado. No quarto capítulo, o processo de fabricação de capacitares MOS é delineado, sendo também mostrados os resultados experimentais obtidos com capacitares implantados com 12c+. Os efeitos das implantações de carbono sobre Qf e 'tg são discutidos. Ao final, algumas conclusões e perspectivas futuras são apresentadas.