Modificação e caracterização de filmes finos de Ge2Sb2Te5 para futuras aplicações em memória não-volátil
Data
2014Autor
Orientador
Evento
Salão de Iniciação Científica (26. : 2014 out. 20-24 : UFRGS, Porto Alegre, RS).
Tipo de apresentação
Apresentação oralGrande Área
Ciências exatas e da terra
Sessão
Propriedades físicas de novos materiais
Temática
Propriedades físicas de novos materiais
Coleções
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