Navegação Engenharias por Autor "Wirth, Gilson Inacio"
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Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients
Silva, Michele Gusson Vieira da (2017) [Dissertação]Aplicações em ambientes expostos a elevados níveis de radiação ionizante impõem uma série de desafios ao desenvolvimento de projetos de circuitos integrados na tecnologia Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS), uma ... -
Análise dos efeitos de dose total ionizante em circuitos analógicos CMOS
Rossetto, Alan Carlos Junior (2014) [Dissertação]Este trabalho apresenta um estudo sobre o comportamento de circuitos analógicos CMOS quando sujeitos aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total são resultado da interação entre a radiação ionizante e as ... -
Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm
Both, Thiago Hanna (2013) [Dissertação]Este trabalho apresenta um estudo sobre a degradação de parâmetros elétricos de transistores CMOS tecnologia 0,35 μm, fabricados com o processo AMS C35B4, devido aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total ... -
Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante
Grisales, Catalina Aguirre (2013) [Dissertação]Nesta dissertação é apresentado o estudo dos transistores de porta flutuante (Floating Gate Transistor - FG Transistor), sua modelagem, e a análise do efeito da dose de ionização total (Total Ionizing Dose- TID) sobre os ... -
Arquiteturas em hardware para o alinhamento local de sequências biológicas
Mallmann, Rafael Mendes (2010) [Dissertação]Bancos de dados biológicos utilizados para comparação e alinhamento local de sequências tem crescido de forma exponencial. Isso popularizou programas que realizam buscas nesses bancos. As implementações dos algoritmos de ... -
Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization
Both, Thiago Hanna (2017) [Tese]Low-frequency noise (LFN) is a performance limiter for analog, digital and RF circuits, introducing phase noise in oscillators and reducing the stability of SRAM cells, for example. Metal-oxide-semiconductor field-effect ... -
Bandgap voltage references in submicrometer CMOS technology
Colombo, Dalton Martini (2009) [Dissertação]Referências de tensão são blocos fundamentais em uma série de aplicações de sinais mistos e de rádio frequência, como por exemplo, conversores de dados, PLL's e conversores de potência. A implementação CMOS mais usada para ... -
Caracterização elétrica temporal de transistores de filmes finos de nanopartículas de óxido de zinco
Becker, Thales Exenberger (2018) [Dissertação]Neste trabalho, são discutidas as características de transistores de filmes finos (TFTs) nos quais nanopartículas de óxido de zinco (ZnO) são empregadas como material ativo na camada semicondutora. O crescimento contínuo ... -
Circuito on-chip para a caracterização em alta escala do efeito de Bias Temperature Instability
Silva, Maurício Banaszeski da (2016) [Dissertação]O trabalho propõe um circuito para caracterização estatística do fenômeno Bias Temperature Instability (BTI). O circuito tem como base uma matriz de transistores para caracterização eficiente em larga escala de BTI. O ... -
Design flow methodology for Radiation hardening by Design CMOS Enclosed Layout Transistor based standard cell library for aerospace applications
Vaz, Pablo Ilha (2019) [Tese]Applications exposed to incidence of ionizing radiation, such as aerospace applications, may have their performance and reliability degraded by the interaction of high-energy ions. Thus, applications exposed to incidence ... -
Design of analog integrated circuits aiming characterization of radiation and noise
Colombo, Dalton Martini (2015) [Tese]This thesis is focused on two challenges faced by analog integrated circuit designers when predicting the reliability of transistors implemented in modern CMOS processes: radiation and noise. Regarding radiation, the concern ... -
Efeitos da radiação ionizante e técnicas de proteção aplicadas a projetos de dispositivos MOS customizados
Vaz, Pablo Ilha (2015) [Dissertação]Os efeitos produzidos pela interação da radiação ionizante com os circuitos integrados podem ser classificados em efeitos de eventos únicos (Single Event Effects - SEE), comumente relacionados a problemas transientes, e ... -
Electrical characterization and modeling of random telegraph noise in MIM-like resistive switching devices
Becker, Thales Exenberger (2022) [Tese]Metal-insulator-metal (MIM-like) resistive switching (RS) devices have been increasingly studied for several modern and traditional applications, such as information storage, stochastic computing, and bio-inspired computing. ... -
Ensemble Monte Carlo simulation of hole transport in Si, Ge and SiGe Alloys
Soares, Caroline dos Santos (2020) [Dissertação]Electrical behavior of microelectronic devices can be described by analyzing charge carrier transport. In this work, an Ensemble Monte Carlo code was adapted to simulate hole transport inside silicon, germanium and SiGe ... -
Estudo e implementação de um microcontrolador tolerante à radiação
Leite, Franco Ripoll (2009) [Dissertação]Neste trabalho foi elaborado um microcontrolador 8051 tolerante à radiação, usando para isso técnicas de recomputação de instruções. A base para este trabalho foi a descrição VHDL desse microcontrolador, sendo proposto o ... -
Estudo e simulação de ruído em circuitos e dispositivos MOS
Della Giustina, Rafael Varela (2012) [Dissertação]A redução das dimensões dos dispositivos semicondutores para escalas submicrométricas impõe diversos desafios no projeto de circuitos integrados. O impacto das variações intrínsecas afetando parâmetros elétricos cresce em ... -
Evaluating the impact of charge traps on MOSFETs and ciruits
Camargo, Vinícius Valduga de Almeida (2016) [Tese]Nesta tese são apresentados estudos do impacto de armadilhas no desempenho elétrico de MOSFETs em nível de circuito e um simulador Ensamble Monte Carlo (EMC) é apresentado visando a análise do impacto de armadilhas em nível ... -
Implementação e comparação de algoritmos para extração de parâmetros de RTN
Silveira, Cláudia Theis da (2021) [Dissertação]Atualmente o estudo de ruído gerado internamente pelos dispositivos, como o Random Telegraph Noise (RTN), é de grande relevância, visto que este estudo pode fornecer informações importantes sobre as propriedades físicas e ... -
Metodologia de análise da variabilidade em FPGA
Amaral, Raul Vieira (2010) [Dissertação]Este trabalho visa propor uma metodologia de análise da variabilidade do tempo de atraso de propagação no FPGA. Para alcançar esse objetivo são utilizados três circuitos diferentes: o circuito 1 mede a diferença de atrasos ... -
Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS
Furtado, Gabriela Firpo (2017) [Dissertação]Aborda-se, nesse trabalho, o fenômeno de envelhecimento de transistores MOS por bias temperature instability (BTI), relevante fator de degradação da confiabilidade e de redução do tempo de vida de circuitos integrados CMOS. ...