Navegação por Autor "Fichtner, Paulo Fernando Papaleo"
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Formação de precipitados em aço AISI 316L sob irradiação de íons de Au
Oliveira, Franciéle Silva Mendes de (2017) [Resumo publicado em evento] -
Formação de precipitados óxidos e seus efeitos sobre o crescimento de bolhas de He em aço AISI 316L
Santos, Alessandra Mendes dos (2019) [Resumo publicado em evento] -
Formação e estabilidade de nanoaglomerados óxidos no aço AISI 316L
Santos, Gabriel Trindade dos (2022) [Dissertação]Existem diferentes estratégias de engenharia de microestrutura para o desenvolvimento de materiais nucleares mais resistentes a irradiação. Uma das principais alternativas é a formação de aços ODS (Oxide Dispersed Strengthened) ... -
Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em Si
Silva, Douglas Langie da (2004) [Tese]Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas ... -
Formation of epitaxial [Beta]-Sn islands at the interface of SiO/sub 2/Si layers implanted with Sn ions
Lopes, João Marcelo Jordão; Zawislak, Fernando Claudio; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Papaleo, Ricardo Meurer; Lovey, Francisco Carlos; Condó, Adriana M.; Tolley, Alfredo J. (2005) [Artigo de periódico]180 nm SiO2 layers on Si s100d were implanted with Sn ions producing a profile with a peak concentration of 3 at. % at the middle of the oxide. After high temperature s900–1100 °Cd annealing, an array of b-Sn islands ... -
Gettering of copper in silicon at half of the projected ion range induced by helium implantation
Peeva, Anita; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Silva, Douglas Langie da; Behar, Moni; Koegler, Reinhard; Skorupa, Wolfgang (2002) [Artigo de periódico]Secondary ion mass spectroscopy, transmission electron microscopy, Rutherford backscattering /channeling spectrometry, and elastic recoil detection analysis measurements were used to determine the Cu gettering behavior ... -
H-induced subcritical crack propagation and interaction phenomena in (001) Si using He-cracks templates
Reboh, Shay; Barbot, Jean François; Beaufort, Marie France; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (2010) [Artigo de periódico]H and He ion implantations allow the formation of nanocracks within controlled subsurface depths in semiconducting materials. Upon annealing, crack propagation and coalescence provides a way of cutting monocrystalline thin ... -
Implanted boron depth profiles in the az111 photoresist
Guimaraes, Renato Bastos; Amaral, Livio; Behar, Moni; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Zawislak, Fernando Claudio (1988) [Artigo de periódico]The isotope 1OB has been implanted into the photoresist AZll1 in the 30–150 keV energy range. The corresponding depth profiles have been analyzed using the 1OB(n,a) 7 Li reaction. At 60 keV, the profile changes from a ... -
Influência de bolhas de hélio e da microestrutura sobre a evolução térmica de filmes de alumínio implantados com cobre
Camacho, Cristiano Sabóia (2002) [Dissertação]Este trabalho apresenta os resultados de um estudo sistemático sobre as influências do tamanho de grão de filmes finos de Al e da implantação de íons de He sobre a evolução térmica de distribuições de átomos de Cu e formação ... -
In-situ transmission electron microscopy growth of nanoparticles under extreme conditions
Luce, Flavia Piegas; Oliviero, Erwan Marie Hubert; Azevedo, Gustavo de Medeiros; Baptista, Daniel Lorscheitter; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (2016) [Artigo de periódico]The formation and time resolved behavior of individual Pb nanoparticles embedded in silica have been studied by in-situ transmission electron microscopy observations at high temperatures (400–1100 C) and under 200 keV ... -
Ion implantation and ion irradiation effects on nuclear and thermoelectric materials
Timm, Mariana de Mello (2019) [Tese]In this thesis the study of ion implantation and ion irradiation effects on microstructure and physical properties of nuclear and thermoelectric materials will be presented. Materials that are constantly exposed to radiation ... -
Lithium implantation at low temperature in silicon for sharp buried amorphous layer formation and defect engineering
Oliviero, Erwan Marie Hubert; David, Marie-Laure; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Beaufort, Marie France; Barbot, Jean François (2013) [Artigo de periódico]The crystalline-to-amorphous transformation induced by lithium ion implantation at low temperature has been investigated. The resulting damage structure and its thermal evolution have been studied by a combination of ... -
Low temperature aging effects on the formation of Sn nanoclusters in SiO/sub 2/Si films and interfaces
Kremer, Felipe; Lopes, João Marcelo Jordão; Zawislak, Fernando Claudio; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (2007) [Artigo de periódico]The formation of Sn nanocrystals NCs in ion implanted SiO2 /Si films is investigated using Rutherford backscattering spectrometry and transmission electron microscopy. Low temperature and long time aging treatments followed ... -
Modificação de filmes finos de Au induzida por irradiação com elétrons
Oliveira, Franciele Silva Mendes de (2019) [Resumo publicado em evento] -
Modificação de filmes finos de CdSe por irradiação com feixe de elétrons
Fabrim, Zacarias Eduardo (2018) [Tese]Membranas auto-sustentáveis compostas por filmes finos com múltiplas camadas SiO2/ ( 30 nm)/CdSe( 3,0nm)/SiO2 (18 nm) e SiO2( 30 nm)/PbSe( 3,0nm)/SiO2( 18 nm) foram produzidas por magnetron sputtering e submetidas à ... -
Nanoestruturas luminescentes de Ge e Sn em camadas de SiO/sub 2/ implantadas com íons
Lopes, João Marcelo Jordão (2005) [Tese]Neste trabalho estudam-se as propriedades de nanoestruturas de Ge e Sn formadas em amostras de SiO2/Si(100) através dos processos de implantação iônica e tratamento térmico. A formação de nanocristais de Ge foi investigada ... -
Nanoporous SiO 2 / Si thin layers produced by ion track etching : dependence on the ion energy and criterion for etchability
Dallanora, Arícia Oliveira; Marcondes, Tatiana Lisbôa; Bermudez, Gerardo; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Trautmann, C.; Toulemonde, M.; Papaleo, Ricardo Meurer (2008) [Artigo de periódico]Vitreous SiO2 thin films thermally grown onto Si wafers were bombarded by Au ions with energies from 0.005 to 11.1 MeV/u and by ions at constant velocity 0.1 MeV/u 197Au, 130Te, 75As, 32S, and 19F . Subsequent chemical ... -
New approach for structural characterization of planar sets of nanoparticles embedded into a solid matrix
Sanchez, Dario Ferreira; Marmitt, Gabriel Guterres; Marin, Cristiane; Baptista, Daniel Lorscheitter; Azevedo, Gustavo de Medeiros; Grande, Pedro Luis; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (2013) [Artigo de periódico]In this work we demonstrate that Medium Energy Ion Scattering (MEIS) measurements in combination with Transmission Electron Microscopy (TEM) or Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering (GISAXS) can provide a complete ... -
Nucleação e crescimento de grãos em filmes de Al nanoestruturados
Luce, Flavia Piegas (2008) [Dissertação]A eletromigração é um dos principais problemas que limitam a vida útil dos dispositivos microeletrônicos. Normalmente o que se utiliza na indústria são interconexões feitas de filmes finos de Al e/ou Cu com estrutura ... -
On the microstructure of Si coimplanted with H+ and He+ ions at moderate energies
Reboh, Shay; Silva, Fernando Schaurich; Declemy, Alain; Barbot, Jean François; Beaufort, Marie France; Cherkashin, Nikolay; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (2010) [Artigo de periódico]We report on the microstructure of silicon coimplanted with hydrogen and helium ions at moderate energies. X-ray diffraction investigations in as-implanted samples show the direct correlation between the lattice strain and ...