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dc.contributor.advisorAzevedo, Gustavo de Medeirospt_BR
dc.contributor.authorBenfatto, Vinicius Pereirapt_BR
dc.date.accessioned2014-02-14T01:53:01Zpt_BR
dc.date.issued2013pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/87239pt_BR
dc.description.abstractNeste estudo foi abordada a dependência do comprimento das ligações inter-atômicas com a temperatura para dois materiais com mesma estrutura cristalina (Germânio e Arseneto de Gálio), porém com diferenças de ionicidade de ligação. Para análise das características vibracionais utilizou-se do método de EXAFS para sondar as ligações com base em algumas aproximações, modelos e cálculo computacional, e verificou-se sua dependência com a temperatura através de características estruturais como o fator de Debye-Waller o qual descreve a desordem térmica e estrutural. Constatou-se que a taxa de expansão térmica para o germânio é maior que a do arseneto de gálio e sua ligação é mais “dura” que a GaAs.pt_BR
dc.description.abstractThis study addressed the dependence of the inter-atomic bond length with temperature for two materials with the same crystal structure (Germanium and Gallium Arsenide), but with differences in binding ionicity. For analysis of the vibrational characteristics we used EXAFS to probe the binding based on some approximations and computational models. We inferred the temperature dependence through structural features and the Debye-Waller factor which describes the thermal and sdisorder.tructural It was found that the rate of thermal expansion for germanium is larger than that of gallium arsenide and its binding is "harder" than GaAs.en
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectGermaniumen
dc.subjectMateriais semicondutorespt_BR
dc.subjectGallium arsenideen
dc.subjectExpansao termicapt_BR
dc.subjectDebye-waller factoren
dc.subjectGermâniopt_BR
dc.subjectThermal expansionen
dc.subjectArseneto de galiopt_BR
dc.subjectEXAFSpt_BR
dc.titleComparação da dependência com a temperatura dos espectros de absorção de raios-X do Ge e do GaAs cristalinospt_BR
dc.typeTrabalho de conclusão de graduaçãopt_BR
dc.identifier.nrb000910860pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Físicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2013pt_BR
dc.degree.graduationPesquisa Básica: Bachareladopt_BR
dc.degree.levelgraduaçãopt_BR


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