Investigação da cinética de crescimento térmico de filmes de SiO2 sobre substratos de 4H- e 6H-SiC

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Fecha
2010
Autor
Tutor
Tipo
URI
http://hdl.handle.net/10183/46532
Evento
Salão de Iniciação Científica (22. : 2010 out. 18-22 : UFRGS, Porto Alegre, RS).
Tipo de presentación
Apresentação oral
Grande Área
Ciencias Exactas y de la Tierra
En
Salão de Iniciação Científica (22. : 2010 out. 18-22 : Porto Alegre, RS). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 2010.
Sesión
Química de materiais
Tema
Química de materiais
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