Extração de parâmetros de transistores MOS irradiados
Fecha
2010Autor
Tutor
Evento
Salão de Iniciação Científica (22. : 2010 out. 18-22 : UFRGS, Porto Alegre, RS).
Tipo de presentación
Apresentação oralGrande Área
Engineering
En
Salão de Iniciação Científica (22. : 2010 out. 18-22 : Porto Alegre, RS). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 2010.
Sesión
Engenharia elétrica ii
Tema
Engenharia elétrica
Colecciones
-
Ingeniería (215)
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