• Cinética de oxidação do SiC e a interface SiO2/SiC 

      Lopes, Luana Dezingrini (2012) [Trabalho de conclusão de graduação]
      O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor que apresenta diversas características interessantes para substituir o silício em dispositivos eletrônicos que operam em condições extremas de temperatura, frequência e potência. ...