• Estrutura do InP amorfo obtido por implantação iônica 

      Antonio, Viviane Peçanha (2012) [Trabalho de conclusão de graduação]
      O objetivo deste trabalho é estudar a estrutura local de semicondutores amofizados via implantação iônica. Utilizaremos a região de EXAFS de espectros de absorção de raios-x para identificar as modificações induzidas nos ...
    • Porosidade em filmes de InxGa1−xSb : influência da variação da corrente de irradiação 

      Rohr, Júlio César (2022) [Trabalho de conclusão de graduação]
      Neste trabalho foi analisada a influência da variação da corrente de irradiação na formação de porosidade em quatro tipos de filmes semicondutores fabricados por magnetron sputtering. Tendo como base um substrato padrão ...