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Data processing section for microprocessor-like integrated circuits
(1981) [Journal article]A methodology for the design of complex logic VLSI circuits is presented. The target application is deseribed by an algorithm from which the structures of the control section and the data processing section of the integrated ... -
Observation of deterministic chaos in electrical discharges in gases
(1987) [Journal article]We report that dc-excited discharges in gases display current oscillations which develop into deterministically chaotic behavior. A period-doubling route to chaos characteristic of 1D maps is established for sealed discharges ... -
Implanted boron depth profiles in the az111 photoresist
(1988) [Journal article]The isotope 1OB has been implanted into the photoresist AZll1 in the 30–150 keV energy range. The corresponding depth profiles have been analyzed using the 1OB(n,a) 7 Li reaction. At 60 keV, the profile changes from a ... -
Thermal behavior and range distribution of 209bi implanted the into ai/v bilayer structure
(1988) [Journal article]350-keV 209Bi + was implanted into an A1 (1000 Å)/V bilayer system. The Bi depth distribution measured by Rutherford backscattering agrees well with predictions obtained via the Monte-Carlo simulation method (TRIM code). ... -
Considerações críticas sobre a evolução das filosofias de administração da produção : do "just-in-case" ao "just-in-time"
(1989) [Journal article]O presente trabalho procura, essencialmente, apresentar as duas grandes correntes filosóficas "puras" que embaçam atualmente a administração da produção e dos materiais: a filosofia tradicional (just-in-case) e a filosofia ... -
Evidence of homoclinic chaos in the plasma of a glow discharge
(1992) [Journal article]Homoclinic chaos is shown to occur in the electric current measured on an electrical discharge in argon. We report a clear sequence of four hesitations followed by a reverse period doubling. The experimental signals are ... -
Recrystallization behavior of silicon implanted with iron
(1992) [Journal article]The solid phase epitaxial growth (SPEG) of amorphized Si layers implanted with Fe (1 X 1015 cm-², 100 keV) was investigated in the temperature range from 500 to 550 °C using Rutherford backscattering spectrometry. The ... -
Pressure-induced structural phase transitions in zirconia under high pressure
(1993) [Journal article]Angular-dispersive x-ray in situ powder-diffraction experiments have been performed on pure zirconia, Zr02, at room temperature under high pressure up to 50 GPa. Under increasing pressure four phases were successively ... -
Metodologias para o desenvolvimento de sistemas especialistas para planejamento em construção
(1993) [Journal article]Nos últimos anos um número relativamente grande de sistemas especialistas têm sido produzidos, tanto pela indústria quanto em centros de pesquisa. Algumas destas aplicações têm sido empregadas para resolver problemas ... -
Electrical Activation of Bismuth Implanted Into Silicon by Rapid Thermal Annealing and Kinetics of Defects
(1993) [Journal article]The rapid thermal annealing (RTA) of Si implanted with Bi+, to a dose of 5.0~x1014 cm-² at the energy of 150 keV, was investigated using sheet resistivity, Hall measurements, and channeling analysis. Approximately 95% of ... -
Pressure-induced phase transitions and volume changes in Hf02 up to Gpa
(1993) [Journal article]The phase transformations and pressure-volume dependence of Hf02 have been investigated at room temperature by angle-dispersive powder x-ray diffraction under high pressure to 50 GPa in a diamond anvil cell. The phase ... -
Enhanced damage accumulation in carbon implanted silicon
(1994) [Journal article]The accumulation of damage in Si implanted with 12C+ was investigated experimentally using aligned Rutherford backscattering analysis. The damage protiles in Si implanted with 12C+ or 11B+ at 50 keV to the same doses and ... -
Effects of carbon on dynamic annealing and on electrical activation of dopants in silicon substrate
(1994) [Journal article]The effect of C on the implantation damage accumulation in Si crystal and on the electrical T activation of dopants was investigated, using RBS-channeling technique, sheet resistivity and Hall measurements. The damage ... -
Estimativa de modelos de preços hedônicos para locação residencial em Porto Alegre
(1995) [Journal article] -
Influência da estrutura do catalisador a base de zirconoceno na estereorregularidade e propriedades do polipropileno formado
(1996) [Journal article]Catalisadores de metalocenos com diferentes simetrias, cocatalisados por metilaluminoxanas (MAO), foram avaliados em diferentes temperaturas de polimerização do propileno. Os metalocenos com ponte interanelar, ou seja, o ... -
Novas resinas produzidas com catalisadores metalocenicos
(1996) [Journal article]Este trabalho tem como objetivo apresentar uma revisão sobre os tipos de polímeros produzidos com a última geração de catalisadores do tipo Ziegler-Natta, conhecidos como catalisadores metalocênicos. Inúmeros trabalhos ... -
Otimização da formulação de uma mistura.
(1996) [Journal article] -
Etapas na otimização experimental de produtos e processos : discussão e estudo de caso
(1996) [Journal article]Este artigo descreve um método de otimização experimental de produtos ou processos medidos por múltiplas variáveis de resposta. Todas as etapas do método, que contempla desde a identificação do problema até a otimização ... -
Otimização da formulação de uma mistura.
(1997) [Journal article]Este artigo é a continuação de um trabalho anterior no qual foi apresentado um estudo de caso visando a otimização da formulação de uma mistura de borracha. No estudo anterior a otimização foi feita considerando exclusivamente ... -
Three dimensional computation of force in a novel brushless DC linear motor
(1997) [Journal article]
