Determinação do mecanismo de crescimento de filmes finos de oxinitreto de silício

dc.contributor.author	Cerveira, Gustavo Pires	pt_BR
dc.contributor.author	Radtke, Claudio	pt_BR
dc.contributor.author	Baumvol, Israel Jacob Rabin	pt_BR
dc.contributor.author	Stedile, Fernanda Chiarello	pt_BR
dc.contributor.author	Salgado, Tania Denise Miskinis	pt_BR
dc.date.accessioned	2014-08-27T02:10:57Z	pt_BR
dc.date.issued	1996	pt_BR
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10183/101924	pt_BR
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.language.iso	por	pt_BR
dc.relation.ispartof	Salão de Iniciação Científica (8. : 1996 : Porto Alegre). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 1996.	pt_BR
dc.rights	Open Access	en
dc.subject	Física da matéria condensada	pt_BR
dc.subject	Filmes finos dieletricos	pt_BR
dc.subject	Filmes finos dielétricos : Mecanismos de crescimento : Tratamento térmico	pt_BR
dc.subject	Análise por reação nuclear	pt_BR
dc.title	Determinação do mecanismo de crescimento de filmes finos de oxinitreto de silício	pt_BR
dc.type	Resumo publicado em evento	pt_BR
dc.contributor.event	Salão de Iniciação Científica (8. : 1996 set. 09-13 : UFRGS, Porto Alegre, RS).	pt_BR
dc.identifier.nrb	000177053	pt_BR
dc.subject.session	FÍSICA ATÔMICA	pt_BR
dc.subject.cnpq	Ciências exatas e da terra	pt_BR
dc.description.number	148	pt_BR
dc.type.origin	Nacional	pt_BR

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