Navegação por Autor "Pitthan Filho, Eduardo"
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Efeito de reoxidações e de tratamentos térmicos com peróxido de hidrogênio na região interfacial SiO2/SiC
Pitthan Filho, Eduardo (2010) [Trabalho de conclusão de graduação]Na busca de um semicondutor adequado para substituir o Si em dispositivos micro e nanoeletrônicos em aplicações que exijam alta freqüência, alta potência e/ou alta temperatura, o carbeto de silício (SiC) aparece como uma ... -
Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica
Pitthan Filho, Eduardo (2013) [Dissertação]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta freqüência e/ou temperatura. Além disso, um filme ... -
Influence of CO annealing in metal-oxide-semiconductor capacitors with SiO2 films thermally grown on Si and on SiC
Pitthan Filho, Eduardo; Reis, Roberto dos; Corrêa, Silma Alberton; Schmeisser, Dieter; Boudinov, Henri Ivanov; Stedile, Fernanda Chiarello (2016) [Artigo de periódico]Understanding the influence of SiC reaction with CO, a by-product of SiC thermal oxidation, is a key point to elucidate the origin of electrical defects in SiC metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. In this work, the ... -
Influence of thermal growth parameters on the SiO2/4H-SiC interfacial region
Pitthan Filho, Eduardo; Lopes, L. D.; Palmieri, Rodrigo; Corrêa, Silma Alberton; Soares, Gabriel Vieira; Boudinov, Henri Ivanov; Stedile, Fernanda Chiarello (2013) [Artigo de periódico]In order to elucidate the origin of SiC electrical degradation from thermal oxidation, 4H-SiC substrates were thermally oxidized under different conditions of time and pressure. Results from nuclear reaction analyses were ... -
Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC
Pitthan Filho, Eduardo (2017) [Tese]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta frequência e/ou alta temperatura. Além disso, é ... -
Nanocompostos de carbono presentes na interface SiO2/SiC
Rosa, Aline Tais da; Corrêa, Silma Alberton; Soares, Gabriel Vieira; Santos, Josiane Heyde dos; Pitthan Filho, Eduardo (2008) [Resumo publicado em evento] -
Processo de síntese de padrões de oxigênio-18 com barreira passivadora em um substrato
Soares, Gabriel Vieira; Pitthan Filho, Eduardo; Corrêa, Silma Alberton; Radtke, Claudio; Stedile, Fernanda Chiarello (2012) [Patente] -
Síntese de padrões para análises por reação nuclear e aplicações na tecnologia do SiC
Pitthan Filho, Eduardo; Pinto, Ronaldo Fernando Lacerda (2009) [Resumo publicado em evento] -
SiO2 films on 4H-SiC : reducing interface electrical degradation due to thermal oxidation
Pitthan Filho, Eduardo; Corrêa, Silma Alberton; Palmieri, Rodrigo; Soares, Gabriel Vieira; Boudinov, Henri Ivanov; Stedile, Fernanda Chiarello (2013) [Resumo publicado em evento] -
SiO2/SiC structures annealed in D2 18O : compositional and electrical effects
Pitthan Filho, Eduardo; Corrêa, Silma Alberton; Boudinov, Henri Ivanov; Stedile, Fernanda Chiarello (2014) [Artigo de periódico]Effects of water vapor annealing on SiO2/4H-SiC structures formed following different routes were investigated using water isotopically enriched in 18O and 2H (D). Isotopic exchange between oxygen from the water vapor and ... -
The role played in the improvement of the SiO2/SiC interface by a thin SiO2 film thermally grown prior to oxide film deposition
Pitthan Filho, Eduardo; Palmieri, Rodrigo; Corrêa, Silma Alberton; Soares, Gabriel Vieira; Boudinov, Henri Ivanov; Stedile, Fernanda Chiarello (2013) [Artigo de periódico]To minimize electrical degradation from thermal oxidation of 4H-SiC, a thin and stoichiometric SiO2 film was thermally grown, monitored by X-ray photoelectron spectroscopy. To obtain thicker films, SiO2 was deposited by ... -
Unraveling the mechanisms responsible for the interfacial region formation in 4H-SiC dry thermal oxidation
Dartora, Gustavo Henrique Stedile; Pitthan Filho, Eduardo; Stedile, Fernanda Chiarello (2017) [Artigo de periódico]Aiming to understand the processes involved in the formation of the transition region between SiO2 and SiC, known as the interfacial region, early steps of SiC oxidation were investigated using mainly nuclear reaction ...