Navegação por Assunto "Feixes de íons"
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Síntese e caracterização de nanocristais de PbSe em substrato SOI
(2010) [Dissertação]Nesta dissertação são apresentados os resultados da síntese de nanocristais (NCs) de PbSe em substratos de Si e SOI. O material foi produzido pela técnica de Síntese por Feixe de Íons (IBS) seguido de tratamentos térmicos ... -
Síntese por feixe de íons de GaN-layer sobre GaAs
(2018) [Tese]O Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de gap direto, motivo de numerosas pesquisas científicas, principalmente devido a sua importância na fabricação de dispositivos de alta potência e optoeletrônicas. Ligas de GaN ... -
Sulfurização de filmes de WO3 visando à obtenção do material semicondutor bidimensional WS2
(2021) [Dissertação]The subject of this work is the study of the WS2 growth process, by sulfurization of a sputter-deposited WO3 film, on silicon oxide (SiO2). The influence of different growth parameters will be discussed and demonstrated, ... -
Superconducting properties and electron scattering mechanisms in a Nb film with a single weak-link excavated by focused ion beam
(2021) [Artigo de periódico]Granularity is one of the main features restricting the maximum current which a superconductor can carry without losses, persisting as an important research topic when applications are concerned. To directly observe its ... -
The potentialities of ultrasound as an alternative to chemical etching for proton beam writing micropatterning
(2022) [Artigo de periódico]In this paper, we explore the potentialities of using ultrasound waves as a post-irradiation treatment after proton beam writing (PBW) patterning of PTFE. To that end, 2-mm-thick foils of PTFE were irradiated with 2.2 MeV ... -
Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si
(2004) [Dissertação]Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são ... -
Unraveling energy loss processes of low energyheavy ions in 2D materials
(2019) [Artigo de periódico]Structuring of 2D materials and their heterostructures with ion beams is a challenging task, because typically low ion energies are needed to avoid damage to a substrate. In addition, at the very first monolayers of a ... -
Unraveling structural and compositional information in 3D FinFET electronic devices
(2019) [Artigo de periódico]Non-planar Fin Field Effect Transistors (FinFET) are already present in modern devices. The evolution from the well-established 2D planar technology to the design of 3D nanostructures rose new fabrication processes, but a ... -
Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
(2016) [Tese]A caracterização do strain (deformação) em estruturas cristalinas em filmes finos semicondutores apresenta importantes aplicações tecnológicas, como por exemplo: a formação de defeitos, modificação da estrutura das bandas ... -
Utilização de técnicas de microfeixe de íons energéticos para caracterização morfológica e elementar de amostras poliméricas e tecidos biológicos
(2014) [Tese]As técnicas baseadas em microfeixe de íons energéticos possuem aplicações em diferentes áreas de conhecimento, tais como materiais, biologia, neurociência, ciências ambientais, entre outros. A microssonda iônica também ... -
Versatilidade da técnica MEIS na caracterização de nanomateriais e dispositivos avançados
(2019) [Tese]A nanotecnologia está presente em diversos setores industriais como cosmético, automotivo, telecomunicação, saúde, alimentação, entre outros. O número de publicações e patentes associadas à nanotecnologia cresce a cada ano ...