Navegação por Assunto "Reacoes nucleares"
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Localização das interações em espalhamento nuclear a energias médias
(1979) [Dissertação]Estuda-se a densidade de probabilidade, no espaço de configuração, de núcleons de energia no intervalo de 80 a 320 MeV, espalhados por potenciais óticos complexos centrais de formas arbitrárias que simulam a interação ... -
Novas fases amorfas de carbono produzidas por irradiação iônica de filmes de C/sub 60/, [alfa]-C e [alfa]-C:H
(2003) [Tese]Neste trabalho estuda-se a formação de novas fases de carbono amorfo através da irradiação iônica de filmes de fulereno, a-C e a-C:H polimérico. Os efeitos da irradiação iônica na modificação das propriedades ópticas e ... -
Probing the symmetry energy from the nuclear isoscaling
(2008) [Artigo de periódico]Using different parametrizations of the nuclear mass formula, we study the sensitivity of the isoscaling parameters to the mass formula employed in grand-canonical calculations. Previous works on isoscaling have suggested ... -
Statistical multifragmentation model with Skyrme effective interactions
(2009) [Artigo de periódico]The statistical multifragmentation model is modified to incorporate the Helmholtz free energies calculated in the finite temperature Thomas-Fermi approximation using Skyrme effective interactions. In this formulation, the ... -
Temperature effects in nuclear isoscaling
(2009) [Artigo de periódico]The properties of the nuclear isoscaling at finite temperature are investigated and the extent to which its parameter α holds information on the symmetry energy is examined. We show that, although finite temperature effects ... -
The impact of the uncertainties in the 12C(α, γ ) 16O reaction rate on the evolution of low- to intermediate-mass stars
(2022) [Artigo de periódico]One of the largest uncertainties in stellar evolutionary computations is the accuracy of the considered reaction rates. The 12C(α, γ ) 16O reaction is particularly important for the study of low- and intermediate-mass stars ... -
Ultrathin silicon oxynitride film formation by plasma immersion nitrogen implantation
(1999) [Artigo de periódico]A method is proposed to prepare ultrathin silicon oxynitride films for gate dielectrics used in deep submicron metal–oxide–semiconductor field effect transistor device structures, namely plasma immersion N implantation ...
