Navegação por Assunto "Transporte atomico"
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Estabilidade de filmes de GeOxNy crescidos termicamente sobre Ge
(2015) [Dissertação]A instabilidade térmica do óxido de germânio (GeO2) é um obstáculo à utilização de germânio (Ge) como material semicondutor em dispositivos MOSFET. Essa instabilidade é induzida por vacâncias de oxigênio originadas de uma ... -
Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si
(2002) [Dissertação]O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo ... -
Estudo experimental de filmes ultrafinos de oxinitretos de silício por substituição isotópica e perfilometria com resolução subnanométrica
(1999) [Tese]Traçagem isotópica foi usada para investigar o transporte atômico durante o crescimento térmico de filmes de oxinitreto de silício em lâminas de silício previamente implantadas com íons de nitrogênio a energias muito baixas, ... -
Isotopic tracing during rapid thermal growth of silicon oxynitride films on Si in O2, NH3, and N2O
(1997) [Artigo de periódico]We performed isotopic tracing of O, N, and H during rapid thermal growth of silicon oxynitride films on silicon in two different sequential, synergistic gas environments: O2, followed by NH3, then followed by N2O; and N2O, ... -
Phase formation in Zr-Fe multilayers : effect of irradiation
(1999) [Artigo de periódico]We have conducted a detailed in situ study of phase formation in Zr–Fe metallic multilayers using irradiation and thermal annealing. Metallic multilayers with near equiatomic and Fe-rich overall compositions and with ... -
Transporte atômico e estabilidade em dielétricos alternativos para a tecnologia do Si
(2007) [Tese]Esta tese trata do estudo experimental de fenômenos de transporte atômico e reação química em filmes ultra-finos dielétricos sobre Si. Esses dielétricos são materiais alternativos ao óxido de silício utilizado em dispositivos ... -
Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si
(2004) [Dissertação]Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são ...