Browsing by Subject "Oxidação térmica"
Now showing items 1-10 of 10
-
Determinação do mecanismo de crescimento e caracterização de filmes dielétricos crescidos sobre carbeto de silício
(2020) [Work completion of graduation]Neste trabalho, foi investigado um material semicondutor usado como substituto para o silício (Si) em aplicações com alta potência, frequência e temperatura: o carbeto de silício (SiC). Sua principal característica de ... -
Efeitos da interação de vapor d’água, de nitrogênio e de hidrogênio com estruturas dielétrico/SiC
(2013) [Thesis]No presente trabalho, foram investigados os efeitos de tratamentos térmicos em vapor d’água, em óxido nítrico e em hidrogênio nas propriedades físico-químicas e elétricas de filmes dielétricos crescidos termicamente e/ou ... -
Evaluation of the degradation of oxo-biodegradable PP by the action of natural weathering
(2023) [Complete work published in event] -
Influence of thermal growth parameters on the SiO2/4H-SiC interfacial region
(2013) [Journal article]In order to elucidate the origin of SiC electrical degradation from thermal oxidation, 4H-SiC substrates were thermally oxidized under different conditions of time and pressure. Results from nuclear reaction analyses were ... -
Influência da oxidação térmica sobre as propriedades de fadiga da liga Ti-6Al-4V
(2011) [Dissertation]Esta dissertação, investiga o comportamento em fadiga da liga Ti-6Al-4V após o tratamento superficial denominado oxidação térmica, para aplicação em pinos fusíveis mecânicos. A oxidação térmica controlada do titânio e suas ... -
Investigação das etapas iniciais do crescimento térmico de dióxido de silício sobre carbeto de silício
(2016) [Work completion of graduation]O presente trabalho tem como objetivo estudar as etapas iniciais da oxidação térmica seca do carbeto de silício (SiC). Para esse fim, amostras de SiC monocristalino do politipo 4H (4H-SiC), polidas em ambas faces C e Si, ... -
Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC
(2017) [Thesis]O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta frequência e/ou alta temperatura. Além disso, é ... -
SiO2 films on 4H-SiC : reducing interface electrical degradation due to thermal oxidation
(2013) [Abstract published in event] -
The role played in the improvement of the SiO2/SiC interface by a thin SiO2 film thermally grown prior to oxide film deposition
(2013) [Journal article]To minimize electrical degradation from thermal oxidation of 4H-SiC, a thin and stoichiometric SiO2 film was thermally grown, monitored by X-ray photoelectron spectroscopy. To obtain thicker films, SiO2 was deposited by ... -
Unraveling the mechanisms responsible for the interfacial region formation in 4H-SiC dry thermal oxidation
(2017) [Journal article]Aiming to understand the processes involved in the formation of the transition region between SiO2 and SiC, known as the interfacial region, early steps of SiC oxidation were investigated using mainly nuclear reaction ...