Browsing by Author "Fichtner, Paulo Fernando Papaleo"
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Aging effects on the nucleation of Pb nanoparticles in silica
Luce, Flavia Piegas; Kremer, Felipe; Reboh, Shay; Fabrim, Zacarias Eduardo; Sanchez, Dario Ferreira; Zawislak, Fernando Claudio; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (2011) [Journal article]The ion beam synthesis of Pb nanoparticles (NPs) in silica is studied in terms of a two step thermal annealing process consisting of a low temperature long time aging treatment followed by a high temperature short time ... -
Alcances de ions energéticos (10 a 390 keV) implantados em silício amorfo
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (1987) [Thesis]Neste trabalho apresentamos medidas de perfil de distribuição de ions para uma série de elementos (29‘Zi;:.03) implantados a diversas energias entre 10 a 390 keV em Silicio amorfo. Estas medidas são comparadas com os novos ... -
Amorphization/recrystallization of buried amorphous silicon layer induced by oxygen ion implantation
Souza, Joel Pereira de; Cima, Carlos Alberto; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Boudinov, Henri Ivanov (2004) [Journal article]In this paper we discuss the structural modifications observed in a buried amorphous Si (α-Si) layer containing high oxygen concentration level (up to ~ 3 at.%) after being implanted at elevated temperature with 16O+ ions. ... -
Análise e estudo estatístico de deformações causadas por implantação de hélio em silício
Lisboa, Marcelo Britto; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (1996) [Abstract published in event] -
Aplicação do modo de nanolitografia de um microscópio de força atômica para a estruturação de superfícies
Carreira, Willian Hasenkamp (2007) [Dissertation]Neste trabalho, estudamos o processo de nanoestruturação de superfícies por microscopia de força atômica. O processo de indução mecânica de deformações foi abordado sob o enfoque de duas técnicas: a aragem dinâmica e a ... -
Bi nanowires modified by 400 keV and 1 MeV Au ions
Guerra, D.B.; Müller, Sven; Oliveira, Elisa Magno Nunes de; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Papaleo, Ricardo Meurer (2018) [Journal article]We report on the modification of the structure and morphology of Bi nanowires of two different diameters (80 or 130 nm) exposed to beams of 400 keV and 1 MeV Au+ until complete wire degradation. For fluences up to ∼1 ion/nm2 ... -
Caracterização de estruturas cristalinas por microdifração de elétrons
Aloise, Giulliano R.; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (1999) [Abstract published in event] -
Caracterização do arranjo estrutural de sistemas enterrados de nanopartículas pela técnica de MEIS
Sanchez, Dario Ferreira (2013) [Thesis]Arranjos planares de nanoparticulas (NPs). enterrados em matriz sólida tern atraído grande interesse tanto nas ares de nanociência quantd nas de nanotecnologia, devido às suas propriedades físicas, tais como plasmOnicas e ... -
Caracterização e análise do estresse no parâmetro de rede em sistemas Cristal/Amorfo através da técnica de MEIS
Ávila, Tiago Silva de; Grande, Pedro Luis; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (2014) [Abstract published in event] -
Caracterização estrutural de nanoilhas de Pb na interface de Si/ SiO2 sintetizadas a partir de implantação iônica através da técnica MEIS
Rodrigues, Frâncio Souza Berti (2011) [Abstract published in event] -
Caracterização estrutural, química e de estado eletrônico de interfaces/superfícies de fotoanodos aplicados a water-splitting
Santos, Gabriel Trindade dos (2023) [Thesis]A urgência climática tem desafiado o desenvolvimento de sistemas de geração de energia verde, nos quais os dispositivos de fotoeletrocatalise (PEC) são essenciais para alcançar o êxito. O design de dispositivos PEC aplicados ... -
Carrier dynamics in stacked InP/GaAs quantum dots
Veloso, A.B.; Nakaema, Marcelo Kiyoshi Kian; Godoy, Marcio P.F. de; Lopes, João Marcelo Jordão; Likawa, Fernando; Brasil, Maria José Santos Pompeu; Bortoleto, José Roberto Ribeiro; Cotta, Mônica Alonso; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Mörschbächer, Marcio José; Madureira, J.R. (2007) [Journal article]We investigated two stacked layers of InP/GaAs type-II quantum dots by transmission electron microscopy and optical spectroscopy. The results reveal that InP quantum dots formed in two quantum dot layers are more uniform ... -
Cluster coarsening and luminescence emission intensity of Ge nanoclusters in SiO/sub 2/ layers
Lopes, João Marcelo Jordão; Zawislak, Fernando Claudio; Behar, Moni; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Rebohle, Lars; Skorupa, Wolfgang (2003) [Journal article]SiO2 layers 180 nm thick are implanted with 120 keV Ge+ ions at a fluence of 1.2x1016 cm-². The distribution and coarsening evolution of Ge nanoclusters are characterized by Rutherford backscattering spectrometry and ... -
Comportamento luminescente de sistemas SiO2/Si implantados com íons de Bi
Timm, Mariana de Mello (2012) [Abstract published in event] -
Comportamento térmico de bolhas híbridas de Ne-He produzidas por implantação iônica em Si
Matos, Ludmar Guedes (2012) [Dissertation]Em um trabalho anterior verificou-se que a formação de bolhas de He pressurizadas em um substrato Si é capaz de melhorar a qualidade cristalina de uma estrutura GaN/AlN crescida heteroepitaxialmente sobre Si. As bolhas ... -
Construção e caracterização de um sistema de desbastamento iônico
Mattos, Augusto Alexandre Durgante de (2000) [Dissertation]Este trabalho trata do desenvolvimento de um equipamento de desbastamento iônico aplicado ao afinamento de amostras para análise com a técnica de microscopia eletrônica de transmissão (MET). A técnica de MET é uma das mais ... -
Controle da dispersão de tamanhos de nanopartículas Utilizando feixes de íons de alta energia
Pazim, Rafael Cardim; Azevedo, Gustavo de Medeiros; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (2014) [Abstract published in event] -
Copper gettering at half the projected ion range induced by low-energy channeling He implantation into silicon
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Behar, Moni; Kaschny, Jorge Ricardo de Araujo; Peeva, Anita; Koegler, Reinhard; Skorupa, Wolfgang (2000) [Journal article]He1 ions were implanted at 40 keV into Si <100> channel direction at room temperature (RT) and at 350 °C. The Si samples were subsequently doped with Cu in order to study the gettering of Cu atoms at the defective layer. ... -
Damage accumulation in neon implanted silicon
Oliviero, Erwan Marie Hubert; Peripolli, Suzana Bottega; Amaral, Livio; Fichtner, Paulo Fernando Papaleo; Beaufort, Marie France; Barbot, Jean François; Donnelly, Stephen Eastwood (2006) [Journal article]Damage accumulation in neon-implanted silicon with fluences ranging from 5x1014 to 5x1016 Ne cm-² has been studied in detail. As-implanted and annealed samples were investigated by Rutherford backscattering spectrometry ... -
Decomposição de filmes fotocondutores através da irradiação com elétrons
Nogueira, Maurício Jesuíno (2022) [Abstract published in event]