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dc.contributor.authorCoelho, Artur Vicente Pfeiferpt_BR
dc.contributor.authorBoudinov, Henri Ivanovpt_BR
dc.date.accessioned2014-01-17T01:52:49Zpt_BR
dc.date.issued1999pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/85954pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoporpt_BR
dc.relation.ispartofSalão de Iniciação Científica (11. : 1999 : Porto Alegre). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 1999.pt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectFísicapt_BR
dc.titleIsolação de camadas tipo-p de GaAs através de implantação iônicapt_BR
dc.typeResumo publicado em eventopt_BR
dc.contributor.eventSalão de iniciação Científica (11. : 1999 out. 25-29 : UFRGS, Porto Alegre, RS).pt_BR
dc.identifier.nrb000281492pt_BR
dc.subject.sessionNovos Materiais IIpt_BR
dc.subject.cnpqCiências exatas e da terrapt_BR
dc.description.number151pt_BR
dc.type.originNacionalpt_BR


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